應(yīng)用方向：科研與教學(xué)

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：負(fù)角度刻蝕降低反污染，熱態(tài)、冷態(tài)兩種中和系統(tǒng)，刻蝕腔體前后開(kāi)門(mén)

產(chǎn)品配置：

★離子源種類(lèi)：考夫曼離子源

★離子源口徑：Φ160mm/220mm

★中和方式：燈絲、冷態(tài)等離子體橋

★樣片數(shù)量及尺寸：1片Φ100mm/150mm樣品

★刻蝕材料：包括并不限于硅、石英、Ⅲ-Ⅴ族化合物、合金、陶瓷等。

★刻蝕腔體：高真空系統(tǒng)

★刻蝕不均勻性：±3%-±6%

★刻蝕速率：10-500nm/min（視具體材料與工藝）

★工作臺(tái)：可旋轉(zhuǎn)，可自傳，可調(diào)距離，包含水冷

★工藝氣路：1-2路

★束流檢測(cè)：法拉第筒在線檢測(cè)

★終點(diǎn)檢測(cè)控制：可選配質(zhì)譜儀

★操作模式：全自動(dòng)+半自動(dòng)控制

選型參考：DISC-IBE-150C（離子源口徑160mm）；DISC-IBE-200C（離子源口徑220mm）