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鑫鐳真空技術(shù)（東莞）有限公司


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SRS-500型五靶磁控濺射鍍膜機(jī) 新材料研發(fā)用全自動(dòng)磁控濺射PVD鍍膜儀

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更新時(shí)間：2023-08-05 18:10:40瀏覽次數(shù)：280次

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產(chǎn)品簡介

SRS-500型磁控濺射PVD系統(tǒng)，最多可配備五個(gè)獨(dú)立濺射靶位，采用渦輪分子泵組和自動(dòng)壓控系統(tǒng)等配置，適用于沉積各種金屬和反應(yīng)膜層

詳細(xì)介紹

 

SRS-500型磁控濺射PVD系統(tǒng)，最多可配備五個(gè)獨(dú)立濺射靶位，采用渦輪分子泵組和自動(dòng)壓控系統(tǒng)等配置，適用于沉積各種金屬和反應(yīng)膜層。可實(shí)現(xiàn)單靶直濺和多靶共濺功能。適合快速制備多層金屬、反應(yīng)化合膜、半導(dǎo)體介質(zhì)復(fù)合膜等，配備精密沉積速率控制系統(tǒng)，非常適合新材料研發(fā)和小批量生產(chǎn)使用。

主要特點(diǎn)：

  • 大抽速真空系統(tǒng)，即插即用快捷方便；
  • 最多五個(gè)獨(dú)立磁控靶位可輕松切換功能，快速制作多種金屬和反應(yīng)介質(zhì)膜；
  • 預(yù)設(shè)參數(shù)全自動(dòng)沉積無需人為干預(yù)；
  • 材料和基板安裝方便實(shí)用，單片公轉(zhuǎn)可沉積φ280的膜片，可實(shí)現(xiàn)公自轉(zhuǎn)載具切換功能。
  • 配備射頻源，可實(shí)現(xiàn)多種膜層工藝要求。

應(yīng)用領(lǐng)域：

  • 金屬和介電膜
  • 薄膜傳感器的制造
  • 光學(xué)元件
  • 納米與微電子
  • 太陽能電池

主要功能配置說明：

  • Φ500mm*420mm(h)圓形不銹鋼腔室（可選玻璃腔室）
  • 700L/s渦輪分子泵+雙級(jí)旋片泵真空泵組。
  • 全量程復(fù)合真空計(jì)，自動(dòng)控制不同工藝壓力。
  • 電動(dòng)壓控插板閥全程壓力自動(dòng)控制。
  • 四個(gè)獨(dú)立2英寸濺射靶+2個(gè)熱蒸發(fā)源，或5個(gè)獨(dú)立濺射靶位，可同時(shí)濺射多種靶材。
  • 配準(zhǔn)備DC電源和RF電源更利于濺射多種金屬和介質(zhì)膜層。
  • MFC精密氣體控制系統(tǒng)。
  • 石英晶體監(jiān)測(cè)系統(tǒng)用于實(shí)時(shí)厚度測(cè)量。
  • 斜拉伸縮式觸控屏可預(yù)設(shè)控制沉積過程和快速數(shù)據(jù)輸入。
  • 用戶友好軟件系統(tǒng)，可以通過網(wǎng)絡(luò)更新。
  • 一鍵式全自動(dòng)升降系統(tǒng)，便于操作。
  • 精密溫控系統(tǒng)和基片前后加熱裝置可精確控制控基片＞800°C。
  • 伸縮式基片掛架，可輕松調(diào)節(jié)濺射距離和切換公自轉(zhuǎn)模式。
  • 自動(dòng)腔體外包圍環(huán)繞冷卻系統(tǒng)，避免高溫鍍膜時(shí)腔室壁溫度過高。

系統(tǒng)外觀圖如下：

腔室結(jié)構(gòu)圖如下：

四靶位濺射+2個(gè)獨(dú)立熱蒸發(fā)單元

五個(gè)獨(dú)立濺射靶位腔室結(jié)構(gòu)圖

轉(zhuǎn)架結(jié)構(gòu)圖：

外形尺寸圖：

  • 技術(shù)指標(biāo)
  • 系統(tǒng)真空度：≤6 x10-5 Pa (經(jīng)烘烤除氣后)；
  • 系統(tǒng)檢漏漏率：≤5.0x10-7 Pa.l/S，停泵關(guān)機(jī)12小時(shí)后保壓≤5 Pa；
  • 濺射成膜速率：各種材料綜合速率≥10nm/min；
  • 膜厚均勻性：公自轉(zhuǎn)綜合均勻度≤5%。
  • 主要功能單元配置
  • 更多PVD系統(tǒng)工藝說明可查閱本站點(diǎn)解決方案目錄：/jjfa

鑫鐳真空專業(yè)為科研項(xiàng)目和企業(yè)制作用于薄膜材料實(shí)驗(yàn)的小型多靶濺射PVD系統(tǒng)，提供各種真空鍍膜工藝設(shè)備搭配定制、鍍膜機(jī)機(jī)的全系統(tǒng)整合、升級(jí)和專用系統(tǒng)定制以及真空設(shè)備整機(jī)維修、安裝等服務(wù)。質(zhì)量可靠，提供多個(gè)案列參考。

 

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