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北京中科復(fù)華科技有限公司
初級(jí)會(huì)員 | 第1年

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  • 磁控濺射鍍膜設(shè)備

    磁控濺射法是在高真空充入適量的氬氣,在陰極(柱狀靶或平面靶)和陽(yáng)極(鍍膜室壁) 之間施加幾百K 直流電壓,在鍍膜室內(nèi)產(chǎn)生磁控型異常輝光放電,使氬氣發(fā)生電離。

    型號(hào): MSP-300/4... 所在地:北京市參考價(jià): ¥10更新時(shí)間:2025/5/16 16:12:26 對(duì)比
    磁控濺射鍍膜臺(tái)式
  • 化學(xué)氣相沉積(PECVD)

    是一種在沉積腔室利用輝光放電使其電離后在襯底上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)沉積的半導(dǎo)體薄膜材料制備和其他材料薄膜的制備方法

    型號(hào): PECVD-601... 所在地:北京市參考價(jià): ¥10更新時(shí)間:2025/5/16 16:10:34 對(duì)比
    PECVD氣相沉積鍍膜
  • 德國(guó)SENTECH 化學(xué)氣相沉積(預(yù)真空室)

    SI 500 PPD是電容平板式PECVD等離子沉積設(shè)備,主要用于SiO2,SiOxNy,SiNy,a-Si,SiC薄膜的沉積 。適用于2“--8“樣片的薄膜沉...

    型號(hào): SI 500 PP... 所在地:北京市參考價(jià): ¥10更新時(shí)間:2025/5/16 8:34:46 對(duì)比
    化學(xué)氣相沉積PECVD
  • 德國(guó)SENTECH 電感耦合化學(xué)氣相沉積

    SI 500D等離子沉積系統(tǒng)是ICP-PECVD設(shè)備,利用ICP高密度等離子源來(lái)沉積電介質(zhì)薄膜??稍跇O低溫度下( 100ºC)沉積高質(zhì)量SiO2, S...

    型號(hào): SI 500 D 所在地:北京市參考價(jià): ¥10更新時(shí)間:2025/5/16 8:07:04 對(duì)比
    化學(xué)氣相沉積PECVD
  • 熱阻/電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī)設(shè)備

    電子束蒸發(fā)系統(tǒng)是化合物半導(dǎo)體器件制作中的一種重要工藝技術(shù)。它是在高真空狀態(tài)下由電子束加熱坩堝中的金屬,使其熔融后蒸發(fā)到所需基片上形成金屬膜。可蒸發(fā)很多難熔金屬或...

    型號(hào): MEB-600/8... 所在地:北京市參考價(jià): ¥10更新時(shí)間:2025/4/28 8:35:14 對(duì)比
    電子束蒸發(fā)鍍膜鍍膜

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