激情综合啪啪6月丁香,久久久久国产精品91福利,99精品日韩欧美在线观看,91成人午夜福利在线观看国产

行業(yè)產品

  • 行業(yè)產品

西安長禾半導體技術有限公司


當前位置:西安長禾半導體技術有限公司>>環(huán)境>>高/低溫存儲HTSL/LTSL-環(huán)境老化試驗

高/低溫存儲HTSL/LTSL-環(huán)境老化試驗

返回列表頁
參  考  價:99
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 產品型號

    長禾CNAS

  • 品牌

    其他品牌

  • 廠商性質

    生產商

  • 所在地

    西安市

規(guī)格

1 99元 999件可售

聯(lián)系方式:白曉輝查看聯(lián)系方式

更新時間:2025-05-19 11:00:04瀏覽次數(shù):402次

聯(lián)系我時,請告知來自 環(huán)保在線

經營模式:生產廠家

商鋪產品:20條

所在地區(qū):陜西西安市

聯(lián)系人:白曉輝 (銷售)

產品簡介
加工定制    

高/低溫存儲HTSL/LTSL-環(huán)境老化試驗
功率器件參數(shù)驗證與二次篩選測試:保障器件性能穩(wěn)定,助力客戶優(yōu)化供應鏈質量控制。
車規(guī)級元器件檢測:針對新能源汽車領域,提供符合嚴苛車規(guī)標準的功率器件篩選與可靠性驗證,助力行業(yè)客戶突破核心技術瓶頸。
環(huán)境與老化實驗:模擬特殊環(huán)境下器件工作狀態(tài),確保產品在復雜工況中長期可靠運行。

詳細介紹

高/低溫存儲HTSL/LTSL-環(huán)境老化試驗

高/低溫存儲HTSL/LTSL-環(huán)境老化試驗

西安長禾半導體技術有限公司(簡稱“長禾實驗室"),位于中國西部科技創(chuàng)新高地——西安市,專注于功率半導體器件檢測與驗證。

作為國家認可委員會(CNAS)正式認證的大功率器件測試服務中心,長禾實驗室嚴格遵循國際標準,致力于為國內外客戶提供一站式專業(yè)測試服務。實驗室配備功率半導體測試設備和自動化測試平臺,全面覆蓋IGBT、MOSFET、二極管、晶閘管等核心功率器件的參數(shù)驗證、可靠性評估和失效分析。憑借技術實力和創(chuàng)新能力,已成長為國內少數(shù)具備全鏈條功率器件測試、篩選及老化服務的機構之一。業(yè)務涵蓋了軌道交通、新能源發(fā)電(風電、光伏)、新能源汽車、國防、工業(yè)控制、科研機構等多個領域,為中國核心產業(yè)鏈提供堅實的技術保障。

完善的基礎設施和優(yōu)秀團隊一直是實驗室強化的重點,實驗室核心團隊研究生占比70%以上,具備深厚的學術背景和豐富的行業(yè)經驗。在質量控制方面,實驗室建立了完善的質量管理體系,嚴格執(zhí)行實驗室管理標準。每個測試項目均建立了詳細的作業(yè)指導書,確保測試過程的標準化和可追溯性,數(shù)據(jù)的準確性和可靠性。

長禾實驗室秉持“嚴謹求實、精益求精"的企業(yè)精神,致力于推動中國功率半導體產業(yè)鏈的高質量發(fā)展,助力打造具備競爭力的半導體生態(tài)系統(tǒng)。未來,長禾實驗室將繼續(xù)發(fā)揮技術和資源優(yōu)勢,立足西安,努力成長為優(yōu)秀功率半導體測試與驗證服務平臺,助力中國“芯"騰飛。

高溫存儲試驗(HTSL    

執(zhí)行標準:MIL-STD-750,GB/T 2423.2-2008GJB548、 ;

試驗對象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產品;

試驗能力:溫度  220℃;

低溫存儲試驗(LTSL    

執(zhí)行標準:GJB548、GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 ;

試驗對象:DIODEBJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產品;

試驗能力:溫度   -70℃。

高低溫循環(huán)試驗(TC    

執(zhí)行標準:GJB548、GJB128MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 ;

試驗對象:DIODE、BJT、SCRMOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產品;

試驗能力:溫度范圍:-40~175℃。

溫度沖擊試驗      

執(zhí)行標準:GJB548、GJB 150-86GB 2423、MIL-STD-810H、IEC60068-2-14;

試驗對象:DIODEBJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產品;

試驗能力:溫度范圍:-70~220℃。

高溫蒸煮試驗(PCT      

執(zhí)行標準:GB/T 4937.4-2012?、JESD22-A110D-2010?

IPC/JEDECJ-STD-020D.1-2008?;

試驗對象:DIODEBJT、SCR、MOSFET、IGBTSiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產品;

試驗能力:?溫度范圍?:105℃142.9℃之間;濕度范圍?75%100RH。

壓力范圍?:0.02MPa0.186MPa

可焊性試驗  

執(zhí)行標準:MIL-STD-202G、MIL-STD-883GGB2423、IEC60068;

試驗對象:DIODEBJT、SCR、MOSFETIGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產品;

振動試驗      

執(zhí)行標準:GJB 150.25-86、GB-T 4857.23-2003、GBT4857.10-2005;

試驗對象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBTSiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產品;

試驗方法:模擬產品在運輸、安裝及使用環(huán)境下所遭遇到的各種振動環(huán)境影響,主要用于評定元器件、零部件及整機在預期的運輸及使用環(huán)境中的抵抗能力,以了解產品的耐振壽命和性能指標的穩(wěn)定性。

鹽霧試驗      

執(zhí)行標準:GB/T2423.172008GB/T2423.182000、GB593886

試驗對象:DIODE、BJTSCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產品;

試驗方法:通過人工模擬鹽霧環(huán)境條件來考核產品或金屬材料耐腐蝕性能的環(huán)境試驗。一般用于對材料(表面鍍層)或表面處理工藝進行評價、篩選、對比,確定產品中潛在問題的區(qū)域和部位,發(fā)現(xiàn)質量控制的不足,尋找設計缺陷等。

高/低溫存儲HTSL/LTSL-環(huán)境老化試驗



關鍵詞:新能源
其他推薦產品更多>>

感興趣的產品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN

環(huán)保在線 設計制作,未經允許翻錄必究 .? ? ? Copyright(C)?2021 http://www.hg1112.cn,All rights reserved.

以上信息由企業(yè)自行提供,信息內容的真實性、準確性和合法性由相關企業(yè)負責,環(huán)保在線對此不承擔任何保證責任。 溫馨提示:為規(guī)避購買風險,建議您在購買產品前務必確認供應商資質及產品質量。

會員登錄

×

請輸入賬號

請輸入密碼

=

請輸驗證碼

收藏該商鋪

登錄 后再收藏

提示

您的留言已提交成功!我們將在第一時間回復您~