The laser MBE is very suitable for the atomic layer controlled growth of oxides / nitrides, and also suits for a simple and inexpensive apparatus comparing with conventional MBE.

詳細(xì)介紹

PLD MBE激光分子束外延鍍膜系統(tǒng)的主體是一個UHV激光分子束外延裝置。使用準(zhǔn)分子激光進(jìn)行基底加熱；脈沖激光做為幅照源。使用兩個組合的掩膜和一個掃描式的反射高能電子衍射（RHEED）設(shè)備，系統(tǒng)能同時制備很多樣品（250個/10mm²）。每個樣品都是原子級的控制，可以設(shè)置不同的生長條件。在UHV中使用激光輻照的組合的掩模和靶材。
　　這個組合膜沉積的概念，是由于使用分離的基底、小區(qū)域的掩模和每個樣品不同的生長參數(shù)導(dǎo)致的沉積條件的系統(tǒng)變化。的貢獻(xiàn)就是可以快速地篩選生長條件。

·精準(zhǔn)層蔽控制原子

·層外延膜結(jié)構(gòu)或形態(tài)

·均勻或梯度的快速

·振蕩信號需依成膜條件和成膜品質(zhì)

·專業(yè)LabView提供全自動制程數(shù)字控制

·9項日本、3個國際

·激光加熱：溫度 >1000℃)

·高壓可操作： ~133Pa

·6種靶材的公轉(zhuǎn)和自轉(zhuǎn)

·鍍膜腔真空度： ~5e-9Torr

·Load-Lock腔： ~5e-7 Torr 可放置兩個樣品以及四個靶材

·全自動數(shù)字控制

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