強(qiáng)光檢查燈185le在半導(dǎo)體行業(yè)的運(yùn)用
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為現(xiàn)代科技的支撐，正日益迅猛發(fā)展。然而，半導(dǎo)體的制造需要極其復(fù)雜的工序，隱藏其微小表面之下的是數(shù)百個(gè)步驟的精密交織。任何細(xì)小的缺陷，都將最終影響芯片性能和功能。因此，在制造過(guò)程的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)上建立精確的計(jì)量和檢查過(guò)程對(duì)于確保良率至關(guān)重要。無(wú)論是從監(jiān)控硅晶錠成形時(shí)的直徑，到晶圓平邊探測(cè)與晶圓刻號(hào)(Wafer ID)讀取，還是在封裝制程中檢測(cè)打線接合、晶粒品質(zhì)、及雷射蓋印等半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)檢測(cè)與測(cè)量環(huán)節(jié)中，強(qiáng)光燈檢查技術(shù)都能提供強(qiáng)有力支持，快速協(xié)助這些制程提高產(chǎn)能與良率，并降低生產(chǎn)成本。在集成電路制造中，對(duì)晶粒表面的缺陷進(jìn)行檢測(cè)至關(guān)重要，如裂紋、碎片和燒痕等，這些缺陷可能影響晶粒的質(zhì)量和性能。這些缺陷的性質(zhì)多變，位置各異，基于規(guī)則的機(jī)器視覺(jué)難以準(zhǔn)確檢測(cè)。同時(shí)，還需要避免標(biāo)記對(duì)芯片質(zhì)量不造成影響的微小畸變，以提高效率?？紤]到芯片尺寸各異且數(shù)量眾多，傳統(tǒng)的人工檢測(cè)方法低效且不切實(shí)際，還可能引入無(wú)塵室的污染。
185le強(qiáng)光檢查燈可以識(shí)別晶粒表面上各種不可接受的外觀缺陷，這些缺陷對(duì)于基于規(guī)則的視覺(jué)檢測(cè)系統(tǒng)而言過(guò)于復(fù)雜或耗時(shí)。該工具檢查晶粒的表面，以檢測(cè)是否有裂紋、碎片或燒痕。
主要型號(hào)：高照度表面檢查燈185LE/185FI/185LE-AL/370TFI/R/100LE
高照度照明設(shè)備(表面檢查燈) 185LE-AL是目視檢查晶圓、鏡頭、玻璃基板的表面等為目的的光源。
適合于TFT面板、CF(彩色濾光片)，觸摸屏制造等行業(yè)。
規(guī)格參數(shù)：
大照度 | 照射距離 310mm、 照射直徑徑 55mmφ 時(shí)照度在 400,000 Lux以上） |
光源 | 直流點(diǎn)燈 17V/185W 鹵素?zé)?/span> |
照度調(diào)整 | 連續(xù)可調(diào)至大照度的 20% |
冷卻方式 | 強(qiáng)制空冷 |
使用溫度范囲 | 0 ～ 40℃ |
電源電圧 | AC 95V ～ AC 260V, 50/60Hz |
功率 | 250W |
尺寸 | 光源 | 136mm H × 112mm W × 150mm D |
電源 | 229mm H × 90mm W × 250mm D |
重量 | 光源 | 1.2kg |
電源 | 3.6kg |
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