日本napson手持式渦流法電阻檢測(cè)儀EC-80P技術(shù)

【資料簡(jiǎn)介】

日本napson手持式渦流法電阻檢測(cè)儀EC-80P技術(shù)

產(chǎn)品特點(diǎn)

• 只需觸摸手持式探頭即可進(jìn)行電阻測(cè)量。
• 在電阻率/薄層電阻測(cè)量模式之間輕松切換
• 使用JOG撥盤(pán)輕松設(shè)置測(cè)量條件
• 連接到連接器的電阻測(cè)量探針是可更換的，因此它支持廣泛的電阻。
• （電阻探頭：z多可以使用2 + PN判斷探頭）

• 測(cè)量規(guī)格

  測(cè)量目標(biāo)

  相關(guān)（硅，多晶硅，碳化硅等）半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池材料
  的新材料/相關(guān)功能性材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
  導(dǎo)電薄膜相關(guān)的（金屬，ITO等）
  硅基外延離子注入的樣品
  化合物與半導(dǎo)體有關(guān)的（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
  其他（*請(qǐng)與我們聯(lián)xi）

  測(cè)量尺寸

  無(wú)論樣品大小和形狀如何均可進(jìn)行測(cè)量（但是，大于20mmφ且表面平坦）

  測(cè)量范圍

  [電阻率] 1 m至200Ω·cm
  （*所有探頭類型的總范圍/厚度500 um）
  [抗熱阻] 10 m至3 kΩ/ sq
  （*所有探頭類型的總范圍）

  *有關(guān)每種探頭類型的測(cè)量范圍，請(qǐng)參閱以下內(nèi)容。
  （1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
  0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
  （3 ））高：10至1000Ω/□（ 0.5至60Ω-??cm）
  （4）S高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）
  （5）太陽(yáng)能晶片：5至500Ω/□（0. 2至15Ω-cm）