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PSPB10000 脈沖慢正電子束流是一種可精 確調(diào)制時間、能量和位置的正電子 束流，通過電磁線圈和電場的控制，可以實現(xiàn)對材料近表面和界面的結(jié)構(gòu)形態(tài)進(jìn) 行分層掃描，可以實現(xiàn)材料中微觀缺陷態(tài)的分層測量，從而對材料表面與界面進(jìn) 行結(jié)構(gòu)表征。

PSPB10000 產(chǎn)品結(jié)構(gòu)

從放射源產(chǎn)生的正電子首先通過慢化體能量降低到熱能，然后通過聚束線圈 實現(xiàn)對位置的調(diào)控，通過斬波器實現(xiàn)對時間的調(diào)控，通過加速電極實現(xiàn)對能量的 調(diào)控。經(jīng)過 PSPB10000 調(diào)制過的正電子可以停留在樣品的特定深度。

正電子能量與在材料中注入深度的關(guān)系

技術(shù)指標(biāo)

1. 正電子源強(qiáng)度≧20mCi

2. 真空度≤10-5Pa；

3. 束斑直徑≤10mm；

4. 脈沖寬度≤250ps；

5. 正電子能量調(diào)節(jié)范圍：0.25-30keV；

6. 正電子能量最小調(diào)節(jié)步長≤0.01keV；

7. 單次放置樣品數(shù)目≥6 個；

8. 測量過程中可進(jìn)行樣品切換；

9. 可進(jìn)行正電子湮沒壽命測量；

10. 正電子壽命采集通道數(shù)≥2；

11. 可進(jìn)行正電子單多普勒展寬測量；

12. 可進(jìn)行正電子符合多普勒展寬測量；

13. 多普勒展寬峰谷比≥3.6×106；

14. 多普勒展寬探測器效率≥30%；

15. 多普勒展寬探測器能量分辨≤1.90keV@1.33MeV；

16. 多普勒展寬采集通道數(shù)≥2；

17. 使用計算機(jī)進(jìn)行束流控制；

18. 具備可視化界面；

19. 可計算多普勒展寬譜 S/W 參數(shù)，可計算符合多普勒展寬和譜、差譜、商譜；

產(chǎn)品特色

l 表面界面測量：可以實現(xiàn)對材料表面和界面的微觀結(jié)構(gòu)表征，通過連續(xù) 改變正電子入射能量進(jìn)行測量可以得到從表面到內(nèi)部的材料微觀結(jié)構(gòu)變化 表征。

l 正電子科學(xué)平臺：正電子束流可以作為正電子科學(xué)平臺，通過搭配不同 的樣品環(huán)境與探測單元，實現(xiàn)對樣品多條件、多參數(shù)的測量表征。