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分立器件間歇壽命IoL功率老化

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參考價:99

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產(chǎn)品型號
長禾CNAS
品牌
其他品牌
廠商性質(zhì)
生產(chǎn)商
所在地
西安市

規(guī)格

1 99元 999件可售

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聯(lián)系方式：白曉輝查看聯(lián)系方式

更新時間：2025-05-19 11:02:10瀏覽次數(shù)：103次

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西安長禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

經(jīng)營模式：生產(chǎn)廠家

商鋪產(chǎn)品：20條

所在地區(qū)：陜西西安市

聯(lián)系人：白曉輝（銷售）

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產(chǎn)品簡介

加工定制	是

分立器件間歇壽命IoL功率老化
功率器件參數(shù)驗證與二次篩選測試：保障器件性能穩(wěn)定，助力客戶優(yōu)化供應(yīng)鏈質(zhì)量控制。
車規(guī)級元器件檢測：針對新能源汽車，提供符合嚴(yán)苛車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的功率器件篩選與可靠性驗證，助力行業(yè)客戶突破核心技術(shù)瓶頸。
環(huán)境與老化實驗：模擬特殊環(huán)境下器件工作狀態(tài)，確保產(chǎn)品在復(fù)雜工況中長期可靠運(yùn)行。
失效分析及可靠性評估：快速精準(zhǔn)定位元器件失效根因，為產(chǎn)品改進(jìn)和技術(shù)迭代提供有力支撐。

詳細(xì)介紹

分立器件間歇壽命IoL功率老化-第三方檢測中心

高溫反偏試驗（HTRB）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJED-4701100、AEC-Q101, 。

試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊；

試驗?zāi)芰Γ簻囟? 150℃；電壓 5000V；

高溫柵偏試驗（HTGB）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、

EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、。

試驗對象：MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊；

試驗?zāi)芰Γ簻囟? 150℃；電壓 100V；

高溫高濕反偏試驗（H3TRB）