菲尼克斯二極管QUINT4DIODE1224DC2X20/1X40
QUINT4-DIODE/12-24DC/2X20 面議污水處理設備 污泥處理設備 水處理過濾器 軟化水設備/除鹽設備 純凈水設備 消毒設備|加藥設備 供水/儲水/集水/排水/輔助 水處理膜 過濾器濾芯 水處理濾料 水處理劑 水處理填料 其它水處理設備
西安長禾半導體技術有限公司
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更新時間:2025-05-19 11:03:17瀏覽次數:289次
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HTGB功率老化壽命預測服務
功率器件參數驗證與二次篩選測試:保障器件性能穩(wěn)定,助力客戶優(yōu)化供應鏈質量控制。
車規(guī)級元器件檢測:針對新能源汽車領域,提供符合嚴苛車規(guī)標準的功率器件篩選與可靠性驗證,助力行業(yè)客戶突破核心技術瓶頸。
環(huán)境與老化實驗:模擬特殊環(huán)境下器件工作狀態(tài),確保產品在復雜工況中長期可靠運行。
失效分析及可靠性評估:快速精準定位元器件失效根因,為產品改進和技術迭代提供有力支撐。
HTGB功率老化壽命預測服務-第三方檢測中心
高溫反偏試驗(HTRB)
執(zhí)行標準:GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJED-4701100、AEC-Q101, 。
試驗對象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊;
試驗能力:溫度 150℃;電壓 5000V;
高溫柵偏試驗(HTGB)
執(zhí)行標準:GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、
EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 。
試驗對象:MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊;
試驗能力:溫度 150℃;電壓 100V;
高溫高濕反偏試驗(H3TRB)
執(zhí)行標準:GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、
EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 。
試驗對象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊;
試驗能力:溫度85℃,濕度范圍:25%~95%,電壓 4500V;
功率老煉測試
試驗對象:IGBT、TVS、壓敏電阻VDR;
試驗能力:檢測 電壓:4500V,檢測 電流:200A
間歇壽命試驗(IOL)
執(zhí)行標準:GJB128、MIL-STD-750、 ;
試驗對象:DIODE、BJT、MOSFET、IGBT及SiC器件等分立器件;
檢測能力:ΔTj≧100℃ 電壓 60V,電流 50A。
功率循環(huán)試驗(PC)
執(zhí)行標準:GJB128、MIL-STD-750、 ;
試驗對象:IGBT模塊;
檢測能力:ΔTj=100℃,電壓 30V,電流 1800A;
熱阻測試(Riath)
執(zhí)行標準:JESD51-1、JESD51-14、JESD24-3、JESD24-4、JESD24-6;
試驗對象:各類二極管;
試驗能力:瞬態(tài)熱阻、穩(wěn)態(tài)熱阻
HTGB功率老化壽命預測服務
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