焦熱電線性陣列LTMIx系列專門設計用于紅外光譜分析。該陣列包含一個128或256個像素的鉭酸鋰芯片，經(jīng)過這些像素元件處理產(chǎn)生的信號在一個CMOS電路中進行處理，信號處理由模擬電路進行，該模擬電路包含一個對每個像素進行調(diào)制的低噪聲前置放大器、一個多路器、一個輸出放大器。焦熱電芯片和CMOS讀出電路位于一個厚薄膜基片上，這些全部安裝在密封金屬外殼內(nèi)。入射的輻射通過一個窗口或一個濾光片，達到敏感元件。該窗口或濾光片對紅外波長是透明的。要測量探測器的溫度，內(nèi)置了一個AD590傳感器，提供和探測器溫度成正比的輸出電流。

和其它焦熱電探測器一樣，進入的紅外輻射能量需要調(diào)制，才能進行測量。

離子束蝕刻焦熱電探測器芯片及約5微米厚度確保更高的響應率和低噪聲等效功率NEP。附加的金屬黑色涂層 (型號命名中的M)可以實現(xiàn)高效均勻的光譜吸收。帶離子束蝕刻熱隔離槽的探測器芯片(型號命名中的SL)允許可以使用低調(diào)制頻率，到10Hz，都有優(yōu)異的信噪比。

型號和性能

1、像素為128系列的型號及特征(調(diào)制頻率128Hz)

像素128系列型號和特征 (調(diào)制頻率128 Hz)
型號	128LTMI SP0.5	128LTMI SP0.5 V3	128LTMI SL SP0.5	128LTMI SL SP0.5V3	128LTMI SP1.0
像素	128	128	128	128	128
像元寬度µm	90	90	90	90	90
像元長度µm	500	500	500	500	1000
像元間距µm	100	100	100	100	100
光電性能1
響應率 SV (10³V/W)	620	1900	620	1900	620
噪聲電壓 UN (mV)	1.2	3.2	1.2	3.2	1.9
信噪比NEP (nW)	1.9	1.7	1.9	1.7	3.0
調(diào)制傳遞函數(shù)MTF (R=3lp/mm)	0.6	0.6	0.8	0.8	0.6
SV一致性 (%)	5	5	5	5	5

2、像素為256系列的型號及特征(調(diào)制頻率128Hz)

像素256系列型號和特征 (調(diào)制頻率128 Hz)
型號	256LTMI SP0.5	256LTMI SP0.5 V3	256LTMI SL SP0.5	256LTMI SL SP0.5V3	256LTMI SP 1.0	256LTMI SP1.0 V3
像素	256	256	256	256	256	256
像元寬度µm	42	42	42	42	42	42
像元長度µm	500	500	500	500	1000	1000
像元間距µm	50	50	50	50	50	50
光電性能1
響應率 SV (10³V/W)	710	2100	710	2100	710	2100
噪聲電壓 UN (mV)	0.9	2.2	0.9	2.2	1.1	3
信噪比NEP (nW)	1.2	1.0	1.2	1.0	1.6	1.4
調(diào)制傳遞函數(shù)MTF (R=3lp/mm)	0.6	0.6	0.8	0.8	0.6	0.6
SV一致性 (%)	5	5	5	5	5	5

3、型號及特征(調(diào)制頻率10Hz)

型號和特征 (調(diào)制頻率 10 Hz)
型號	128LTMI SL SP0.5	128LTMI SL SP0.5V3	256LTMI SL SP0.5	256LTMI SLSP0.5V
像素	128	128	256	256
像元寬度µm	90	90	42	42
像元長度µm	500	500	500	500
像元間距µm	100	100	50	50
光電性能
響應率 SV (10³V/W)	8000	24000	9100	27000
噪聲電壓 UN (mV)	1.2	3.2	0.9	2.2
信噪比NEP (nW)	0.15	0.13	0.10	0.08
調(diào)制傳遞函數(shù)MTF (R=3lp/mm)	0.3	0.3	0.3	0.3
SV一致性 (%)	5	5	5	5