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三維亥姆霍茲線圈磁場綜合實驗儀 測量通電線圈位置的B值

時間:2016-8-23閱讀:293
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三維亥姆霍茲線圈磁場綜合實驗儀 型號:YQDH4501N 貨號:ZH5421 
產(chǎn)品簡介
  儀器由信號源和測試架兩大部分組成??捎糜诨魻栃?yīng)實驗,并且研究亥姆霍茲線圈的磁場分布規(guī)律。
可開設(shè)的實驗
 1、學(xué)習(xí)霍爾效應(yīng)原理,測繪霍爾元件的VH—Is,VH—IM曲線,了解霍爾電勢差VH與霍爾元件工作電流Is,磁場應(yīng)強度B及勵磁電流和IM之間的關(guān)系;
 2、學(xué)習(xí)用“對稱交換測量法”消除負(fù)效應(yīng)產(chǎn)生的系統(tǒng)誤差;
 3、測量單個通電圓線圈軸線上(X方向)點的磁感應(yīng)強度;
 4、測量亥姆霍茲線圈軸線上點的磁感應(yīng)強度;比較和驗證磁場疊加的原理
 5、測量兩個通電圓線圈不同間距時的線圈軸線上點的磁感應(yīng)強度;
 6、測量亥姆霍茲線圈Y方向上B的分布;
 7、測量亥姆霍茲線圈Z方向上B的分布;
 8、測量通電線圈位置的B值。
主要技術(shù)參數(shù)
 1、勵磁電流IM輸出范圍:直流0~0.500A,3位半數(shù)字表測量,調(diào)節(jié)細(xì)度:1mA,負(fù)載電阻范圍:0~40Ω; 
 2、霍爾片工作電流IS輸出范圍:直流0~5.00mA,3位半數(shù)字表測量,調(diào)節(jié)細(xì)度:10μA,負(fù)載電阻范圍:0~1KΩ;
 3、霍爾電壓VH輸入測量范圍:直流±0~19.99mV,3位半數(shù)字表測量,分辨力10μV。
 4、亥姆霍茲線圈
線圈等效半徑:100mm,二線圈中心間距:50~200mm連續(xù)可調(diào); 
 線圈匝數(shù):500匝(單個),線圈電阻:約15Ω;
 5、霍爾元件
砷化鎵霍爾元件,四端引出,靈敏度>140mV/(mA·T) ;
    霍爾片的厚度的d為0.2mm,寬度 為1.5mm,長度L為2.5mm;
 6、三維可移動裝置:X向移動距離±200mm,Y向移動距離±80mm,Z向移動距離±80mm。
 

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