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IGBT高壓緩沖吸收電容_高壓緩沖電容器

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更新時間：2023-12-26 17:02:23瀏覽次數(shù)：101次

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所在地區(qū)：

產(chǎn)品簡介

電容特征：有單金屬緩沖電容器和雙金屬緩沖電容器可供選擇

詳細介紹

電容特征：

有單金屬緩沖電容器和雙金屬緩沖電容器可供選擇。

電容應用：

1.在電力電子應用中，緩沖電容器負責通過鉗位電壓和電流振鈴來減少電磁干擾。

2.為了降低雜散電感，該緩沖器安裝在IGBT模塊上，并在可配置端子中提供了緩沖電容器，以實現(xiàn)多功能性。

電容參數(shù)：

工作溫度范圍：40/85/21

容量范圍：1μF?8μF

額定電壓：1200V.DC?4000V.DC

電容精度：±5％（J）;±10％（K）

耗散系數(shù)：tgδ≤0.001f = 1KHz

絕緣電阻：RS *C≥5000S（在20℃100V.DC 60S下）

預期壽命：100000h（Un;Θ熱點≤85°C）

關鍵詞：電容器
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