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原位TEM透射電鏡液體電化學(xué)原位系統(tǒng)

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

業(yè)界分辨率1．MEMS加工工藝，芯片視窗區(qū)域的氮化硅膜厚度可達(dá)10nm

詳細(xì)介紹

業(yè)界分辨率

1．MEMS加工工藝，芯片視窗區(qū)域的氮化硅膜厚度可達(dá)10 nm。

2．芯片封裝采用鍵合內(nèi)封以及環(huán)氧樹脂外封雙保險(xiǎn)方式，使芯片間的夾層僅約100~200 nm，超薄夾層大幅減少對(duì)電子束的干擾，可清晰觀察樣品的原子排列情況，液相環(huán)境可實(shí)現(xiàn)原子級(jí)分辨。

3．經(jīng)過特殊設(shè)計(jì)的芯片視窗形狀，可避免氮化硅膜鼓起導(dǎo)致液層增厚而影響分辨率。

高安全性

1．市面常見的其他品牌液體樣品桿，由于受自身液體池芯片設(shè)計(jì)方案制約，只能通過液體泵產(chǎn)生的巨大壓力推動(dòng)大流量液體流經(jīng)樣品臺(tái)及芯片外圍區(qū)域，有液體大量泄露的安全隱患。其液體主要靠擴(kuò)散效應(yīng)進(jìn)入芯片中間的納米孔道，芯片觀察窗里并無真實(shí)流量流速控制。

2．采用納流控技術(shù)，通過壓電微控系統(tǒng)進(jìn)行流體微分控制，實(shí)現(xiàn)納升級(jí)微量流體輸送，原位納流控系統(tǒng)及樣品桿中冗余的液體量?jī)H有微升級(jí)別，有效保證電鏡安全。

3．采用高分子膜面接觸密封技術(shù)，相比于o圈密封，增大了密封接觸面積，有效減小滲漏風(fēng)險(xiǎn)。

4．采用超高溫鍍膜技術(shù)，芯片視窗區(qū)域的氮化硅膜具有耐高溫低應(yīng)力耐壓耐腐蝕耐輻照等優(yōu)點(diǎn)。

多場(chǎng)耦合技術(shù)

可在液相環(huán)境中實(shí)現(xiàn)光、電、熱、流體多場(chǎng)耦合。

智能化軟件和自動(dòng)化設(shè)備

1．人機(jī)分離，軟件遠(yuǎn)程控制實(shí)驗(yàn)條件，全程自動(dòng)記錄實(shí)驗(yàn)細(xì)節(jié)數(shù)據(jù)，便于總結(jié)與回顧。

2．全流程配備精密自動(dòng)化設(shè)備，協(xié)助人工操作，提高實(shí)驗(yàn)效率。

團(tuán)隊(duì)優(yōu)勢(shì)

1．團(tuán)隊(duì)帶頭人在原位液相TEM發(fā)展初期即參與研發(fā)并完善該方法。

2．獨(dú)立設(shè)計(jì)原位芯片，掌握芯片核心工藝，擁有多項(xiàng)芯片patent。

3．團(tuán)隊(duì)20余人從事原位液相TEM研究，可提供多個(gè)研究方向的原位實(shí)驗(yàn)技術(shù)支持。

技術(shù)參數(shù)

功能	參數(shù)
桿體材質(zhì)
視窗膜厚
漂移率
適用電鏡
適用極靴
傾轉(zhuǎn)角
(HR)TEM/STEM
(HR)EDS/EELS/SAED
芯片池厚度
電流范圍
電壓范圍
液體流速
流速精度

應(yīng)用案例

圖片3.png

金納米粒子原子分辨液相動(dòng)態(tài)成像TEM（a）STEM （b）

光催化析氫過程觀察活性位點(diǎn)原位生成過程

Real time imaging of photocatalytic active site formation during H₂ evolution by in-situ TEM[J]. Applied Catalysis B: Environmental, 2021, 284: 119743.

流體流動(dòng)及擴(kuò)散對(duì)晶體生長(zhǎng)形貌影響觀察

Efficient CO2 reduction MOFs derivatives transformation mechanism revealed by in-situ liquid phase TEM[J]. Applied Catalysis B: Environmental, 2022, 307: 121164.

光照下環(huán)境氛圍對(duì)納米團(tuán)簇演變過程影響

Visualizing light-induced dynamic structural transformations of Au clusters-based photocatalyst via in situ TEM[J]. Nano Research, 2021, 14(8): 2805-2809.

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