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原位TEM透射電鏡液體電化學(xué)原位系統(tǒng)

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更新時(shí)間:2024-07-23 07:58:46瀏覽次數(shù):125次

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

業(yè)界分辨率1.MEMS加工工藝,芯片視窗區(qū)域的氮化硅膜厚度可達(dá)10nm

詳細(xì)介紹

業(yè)界分辨率

1.MEMS加工工藝,芯片視窗區(qū)域的氮化硅膜厚度可達(dá)10 nm。

2.芯片封裝采用鍵合內(nèi)封以及環(huán)氧樹脂外封雙保險(xiǎn)方式,使芯片間的夾層僅約100~200 nm,超薄夾層大幅減少對(duì)電子束的干擾,可清晰觀察樣品的原子排列情況,相環(huán)境可實(shí)現(xiàn)原子級(jí)分辨

3.經(jīng)過特殊設(shè)計(jì)的芯片視窗形狀,避免氮化硅膜鼓起導(dǎo)致液層增厚而影響分辨率。


高安全性

1.市面常見的其他品牌液體樣品桿,由于受自身液體池芯片設(shè)計(jì)方案制約,只能通過液體泵產(chǎn)生的巨大壓力推動(dòng)大流量液體流經(jīng)樣品臺(tái)及芯片外圍區(qū)域,有液體大量泄露的安全隱患。其液體主要靠擴(kuò)散效應(yīng)進(jìn)入芯片中間的納米孔道,芯片觀察窗里并無真實(shí)流量流速控制。

2.采用納流控技術(shù),通過壓電微控系統(tǒng)進(jìn)行流體微分控制,實(shí)現(xiàn)納升級(jí)微量流體輸送,原位納流控系統(tǒng)及樣品桿中冗余的液體量?jī)H有微升級(jí)別,有效保證電鏡安全。

3.采用高分子膜面接觸密封技術(shù),相比于o圈密封,增大密封接觸面積,有效減小滲漏風(fēng)險(xiǎn)。

4.采用超高溫鍍膜技術(shù),芯片視窗區(qū)域的氮化硅膜具有耐高溫低應(yīng)力耐壓耐腐蝕耐輻照優(yōu)點(diǎn)。


多場(chǎng)耦合技術(shù)

可在液相環(huán)境中實(shí)現(xiàn)光、電、熱、流體多場(chǎng)耦合。


智能化軟件和自動(dòng)化設(shè)備

1.人機(jī)分離,軟件遠(yuǎn)程控制實(shí)驗(yàn)條件,全程自動(dòng)記錄實(shí)驗(yàn)細(xì)節(jié)數(shù)據(jù),便于總結(jié)與回顧。

2.全流程配備精密自動(dòng)化設(shè)備協(xié)助人工操作,提高實(shí)驗(yàn)效率


團(tuán)隊(duì)優(yōu)勢(shì)

1.團(tuán)隊(duì)帶頭人在原位液相TEM發(fā)展初期即參與研發(fā)并完善該方法。

2.獨(dú)立設(shè)計(jì)原位芯片,掌握芯片核心工藝,擁有多項(xiàng)芯片patent。

3.團(tuán)隊(duì)20余人從事原位液相TEM研究,可提供多個(gè)研究方向的原位實(shí)驗(yàn)技術(shù)支持。


技術(shù)參數(shù)


功能參數(shù)

桿體材質(zhì)


視窗膜厚


漂移率


適用電鏡


適用極靴


傾轉(zhuǎn)角


(HR)TEM/STEM


(HR)EDS/EELS/SAED


芯片池厚度


電流范圍


電壓范圍


液體流速


流速精度




應(yīng)用案例

圖片3.png


88888.png

金納米粒子原子分辨液相動(dòng)態(tài)成像TEM(a)STEM (b)


99999.png

光催化析氫過程觀察活性位點(diǎn)原位生成過程

Real time imaging of photocatalytic active site formation during H2 evolution by in-situ TEM[J]. Applied Catalysis B: Environmental, 2021, 284: 119743.


10101.png

流體流動(dòng)及擴(kuò)散對(duì)晶體生長(zhǎng)形貌影響觀察

Efficient CO2 reduction MOFs derivatives transformation mechanism revealed by in-situ liquid phase TEM[J]. Applied Catalysis B: Environmental, 2022, 307: 121164.

10102.png

光照下環(huán)境氛圍對(duì)納米團(tuán)簇演變過程影響

Visualizing light-induced dynamic structural transformations of Au clusters-based photocatalyst via in situ TEM[J]. Nano Research, 2021, 14(8): 2805-2809.


材料液相合成新生長(zhǎng)模式的發(fā)現(xiàn):三維生長(zhǎng)和原子層剝離


關(guān)鍵詞:芯片
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