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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Zirconium disulfide （ZrS?） is an indirect gap layered semiconductor in the ...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Zirconium disulfide （ZrS?） is an indirect gap layered semiconductor in the ...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：More than a decade of growth optimization in chemical vapor transport （CVT）...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：99% environmentally stable metallic NbS2 （niobium disulfide） crystals: NbS2...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Anisotropic transition metal trichalcogenide material TiS3 is available at ...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：ZrSiS as a theoretically predicted and experimentally proven Dirac semimeta...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Gamma layered phase of In2S3 is a direct gap semiconductor with an optical ...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：NiPSe3 is a quasi-two-dimensional antiferromagnet in the bulk form while it...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：14 years of growth optimization in chemical vapor transport （CVT） as well a...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Natural MoS2 is an indirect gap semiconductor （1.2 eV） but becomes highly l...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Our TiS2 crystals are stabilized in 1T ohase （semimetallic phase）.
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：14 years of growth optimization in chemical vapor transport （CVT） as well a...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Hafnium disulfide （HfS?） is an indirect gap layered semiconductor in the bu...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Large size hexagonal phase GaTe （Gallium telluride） crystals have been deve...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：More than a decade of growth optimization in chemical vapor transport （CVT）...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：The only commercially available TlGaS2 vdW crystals have been synthesized a...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Our single crystal GeS （Germanium sulfide） crystals come with guaranteed op...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：The only commercially available TlInS2 vdW crystals have been synthesized a...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Tin sulfooxide is a ternary alloy belonging to M2X3 family of materials.
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Magnetic semiconductor MnPS3 has a monoclinic structure with the factor gro...
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