污水處理設(shè)備 污泥處理設(shè)備 水處理過(guò)濾器 軟化水設(shè)備/除鹽設(shè)備 純凈水設(shè)備 消毒設(shè)備|加藥設(shè)備 供水/儲(chǔ)水/集水/排水/輔助 水處理膜 過(guò)濾器濾芯 水處理濾料 水處理劑 水處理填料 其它水處理設(shè)備
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更新時(shí)間：2022-12-06 15:30:54瀏覽次數(shù)：229次
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美國(guó)Denton Vacuum 金/碳鍍膜機(jī),內(nèi)置泵系統(tǒng),極短的沉積時(shí)間,一致的沉積參數(shù),圖形界面彩色觸摸板.
美國(guó)Denton Vacuum 金/碳鍍膜機(jī)
詳細(xì)介紹
丹頓真空公司位于美國(guó)費(fèi)城，是世界真空鍍膜設(shè)備制造商。 自一九年成立至今丹頓已為客戶(hù)制造了數(shù)千臺(tái)多種規(guī)格的蒸發(fā)設(shè)備、濺射和PECVD鍍膜系統(tǒng)，用于大型工業(yè)生產(chǎn)、科研開(kāi)發(fā)和小規(guī)模制造。 丹頓用于科研開(kāi)發(fā)和小規(guī)模制造的中小型鍍膜設(shè)備據(jù)美國(guó)。
蒸發(fā)膜的厚度分布
蒸發(fā)源的排放分布特性可用于確定真空室中用于生產(chǎn)均勻厚度涂層的正確幾何形狀。
在大孔徑襯底上或者在裝載有許多小襯底的架子上生產(chǎn)均勻厚度的涂層可以通過(guò)對(duì)裝有測(cè)試件的架子進(jìn)行重復(fù)試驗(yàn)來(lái)完成。從一次試運(yùn)行到下一次試運(yùn)行，有意改變了幾何形狀 - 例如蒸發(fā)源的偏移量增加了，直到找到排列。
在本文中，我們首先測(cè)量了位于已知徑向距離處的測(cè)試件上的涂層的厚度，在真空蒸發(fā)室中的單個(gè)旋轉(zhuǎn)平板架上，并使用這些數(shù)據(jù)來(lái)查找源發(fā)射函數(shù)。然后使用已知的發(fā)射函數(shù)來(lái)確定在直徑上產(chǎn)生厚度均勻性的源偏移和弧線(xiàn)曲率。
更低的成本...更高的投資回報(bào)率
離子輔助沉積可提供高要求的光學(xué)應(yīng)用所需的高品質(zhì)，無(wú)缺陷，低應(yīng)力，環(huán)境穩(wěn)定（無(wú)漂移）的薄膜。
您將受益于：
獨(dú)立控制離子電流密度和離子能量以?xún)?yōu)化薄膜性能
長(zhǎng)期運(yùn)行，100％氧氣或氮?dú)夥磻?yīng)氣體穩(wěn)定運(yùn)行，延長(zhǎng)運(yùn)行時(shí)無(wú)過(guò)程漂移
冷陰極離子源是差分泵浦器件，等離子體腔室的一端通向真空環(huán)境。離子源的操作參數(shù)和薄膜的質(zhì)量受控制真空度的參數(shù)的影響。在抽速很高的系統(tǒng)中制作好的薄膜要容易得多。當(dāng)比較IAD薄膜沉積參數(shù)時(shí)，壓力的差異可能是由泵浦速率引起的。
Desk V HP 專(zhuān)用電子顯微鏡樣品制備
– 金/碳鍍膜機(jī)特點(diǎn)(SEM / TEM / FE-SEM)
● 內(nèi)置泵系統(tǒng)
● 極短的沉積時(shí)間
● 一致的沉積參數(shù)
● 圖形界面彩色觸摸板
● 薄膜厚度控制
● 樣品清潔的蝕刻模式
● 多樣靶材材料選擇
● 更多可選功能
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