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殘余氣體分析儀應(yīng)用于分子束外延 MBE

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殘余氣體分析儀應(yīng)用于分子束外延 MBE

詳細(xì)介紹

上海伯東 Pfeiffer 殘余氣體分析質(zhì)譜儀 QMG 應(yīng)用于分子束外延(MBE)系統(tǒng)
分子束外延(MBE)是一種晶體生長(zhǎng)技術(shù)，將半導(dǎo)體襯底放置在超高真空腔體中，和將需要生長(zhǎng)的單晶物質(zhì)按元素的不同分別放在噴射爐中，由分別加熱到相應(yīng)溫度的各元素噴射出的分子流能在襯底上生長(zhǎng)出極薄的，可薄至單原子層水平，單晶體和幾種物質(zhì)交替的超晶格結(jié)構(gòu)。
分子束外延主要研究的是不同結(jié)構(gòu)或不同材料的晶體和超晶格的生長(zhǎng)。該方法生長(zhǎng)溫度低，能?chē)?yán)格控制外延層的層厚組分和摻雜濃度。
分子束外延系統(tǒng)對(duì)真空度要求及其高，對(duì)真空腔體的密封性、材料放氣率、微量雜質(zhì)氣體和水蒸氣比較敏感，本系統(tǒng)采用上海伯東德國(guó) Pfeiffer 殘氣質(zhì)譜儀 QMG 對(duì)超高真空腔體進(jìn)行檢漏，及材料放氣組分及水汽進(jìn)行分析，確保超高真空及真空的穩(wěn)定性，對(duì)晶格的生長(zhǎng)起到很好的作用。

客戶(hù)案例：上海某研究所 MBE 超高真空系統(tǒng)

系統(tǒng)運(yùn)行條件：
1. 主要針對(duì) ZnO 等金屬氧化物外延生長(zhǎng)
2. 超高真空生長(zhǎng)室，配有上海伯東德國(guó) Pfeiffer殘余氣體分析質(zhì)譜儀 QMG+液氮冷屏;
3. 配有12個(gè)加熱泄流源.
4. 襯底加熱器加熱溫度1200℃
5. SiC 襯底加熱器可以在氧氣環(huán)境下工作;
6. 線(xiàn)型進(jìn)樣室實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)送片

配套 Pfeiffer QMG 殘余氣體分析質(zhì)譜儀配置:
1.測(cè)量范圍:1-100amu
2.檢測(cè)器:Faraday/C-SEM
3.烘烤溫度:200℃
4.離子源:Grid ion source
5.燈絲:Yttriated iridium
6.配有軟件及I/O模塊
Pfeiffer 質(zhì)譜分析儀
Pfeiffer 殘余氣體質(zhì)譜分析儀與友廠同級(jí)別質(zhì)譜分析儀相比，更適用于移動(dòng)應(yīng)用，并且提供高解析度和靈敏度，可對(duì)氣體進(jìn)行定性和定量分析，應(yīng)用范圍廣泛，從大氣壓力到高真空均可使用。
Pfeiffer 質(zhì)譜分析儀