銅片四探針電阻率測(cè)試儀環(huán)境要求環(huán)境溫度為23℃1℃,相對(duì)濕度不大于65%。干擾因素光照可能?chē)?yán)重影響觀察電阻率,特別是近似本征材料。因此,所有測(cè)試應(yīng)在暗室進(jìn)行,除非是待測(cè)樣品對(duì)周?chē)墓獠幻舾小?/p>

詳細(xì)介紹

銅片四探針電阻率測(cè)試儀由于電阻率受溫度影響,一般測(cè)試適用溫度為23℃±1 ℃.

對(duì)于厚度對(duì)測(cè)試的影響,仲裁測(cè)量要求厚度按本方法的6.3規(guī)定測(cè)量,一般測(cè)量用戶可以根據(jù)實(shí)

際需要確定厚度的要求偏差。由于探針壓力對(duì)測(cè)量結(jié)果有影響,測(cè)量時(shí)應(yīng)選擇合適的探針壓力。仲裁測(cè)量時(shí)選擇探針間距為1.59mm,非仲裁測(cè)量可選擇其他探針間距。

方法提要直排四探針測(cè)量示意圖測(cè)量?jī)x器探針裝置由以下幾部分組成。1探針用鎢,碳化鎢或高速鋼等金屬制成,針尖呈圓錐型,夾角為45°~150*,初始標(biāo)稱(chēng)半徑為25 μm~50 μm。

5.1.2探針壓力,每根探針壓力為1.75 N士0.25 N或4.0N±0.5N,分別用于硅單晶棒的電阻率測(cè)

量,也可選擇其他合適的探針壓力。絕緣性,一探針(包括連接彈簧和外部引線)與任何其他探針或裝置任一部分之間絕緣電阻大于

10’Ω.4探針排列和間距,四根探針的應(yīng)成等間距直線排列。仲裁測(cè)量時(shí),探針間距(相鄰探針之間

的距離)標(biāo)稱(chēng)值應(yīng)為1.59mm。其他標(biāo)稱(chēng)間距如1.00mm和0.6mm用于非仲裁測(cè)量,探針間距按7.2測(cè)定。探針架,能在針尖幾乎無(wú)橫向移動(dòng)的情況下使探針下降到試樣表面.

技術(shù)參數(shù)及功能介紹

規(guī)格型號(hào)	BEST-300C
1.方塊電阻范圍	10-5～2×105Ω/□
2.電阻率范圍	10-6～2×106Ω-cm
3.測(cè)試電流范圍	0.1μA,1μA,10μA，100µA，1mA，10mA，100 mA
4.電流精度	±0.1%讀數(shù)
5.電阻精度	≤0.3%
6.顯示讀數(shù)	大屏液晶顯示：電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度、電導(dǎo)率
7.測(cè)試方式	雙電測(cè)量
8.工作電源	輸入: AC 220V±10% ,50Hz 功耗：<30W
9.整機(jī)不確定性誤差	≤3%（標(biāo)準(zhǔn)樣片結(jié)果）
10.選購(gòu)功能	選購(gòu)1.pc軟件；選購(gòu)2.方形探頭；選購(gòu)3.直線形探頭；選購(gòu)4.測(cè)試平臺(tái)

銅片四探針電阻率測(cè)試儀如果不是采用直接測(cè)量電阻儀器,則讓電流在正向,調(diào)節(jié)電流大小到近似表2推薦圓片的測(cè)量電流值,測(cè)量正向電流時(shí)標(biāo)準(zhǔn)電阻兩端的電勢(shì)差V,或直接測(cè)量流過(guò)模擬電路的正向電流1,再測(cè)量正向電流時(shí)模擬電路的電勢(shì)差Va。將電流換向,測(cè)量反向電流時(shí)標(biāo)準(zhǔn)電阻兩端的電勢(shì)差V?或模擬電路的反向電流I?和反向電流時(shí)模擬電路的電勢(shì)差V?。繼續(xù)改變極性重復(fù)進(jìn)行測(cè)量,記錄5次每一極性的測(cè)量值。

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