傳感器芯片結(jié)構(gòu)

通過雜質(zhì)擴(kuò)散在硅片壓力傳感部分（硅膜片）上形成硅壓力表，與普通IC制造工藝類似。
當(dāng)對硅芯片施加壓力時，應(yīng)變計電阻會根據(jù)偏轉(zhuǎn)而變化，并轉(zhuǎn)換為電信號。（壓阻效應(yīng)）
該應(yīng)變計的特點(diǎn)是應(yīng)變系數(shù)大。（金屬規(guī)有2～3，硅規(guī)有10～100）。
因此，可以獲得高輸出，可以制造厚膜片并提高壓力傳感器的耐壓性。

目標(biāo)型號

半導(dǎo)體壓力傳感器
VDP4、VSW2（低壓用）等

半導(dǎo)體膜片壓力傳感器的結(jié)構(gòu)及工作原理講解

半導(dǎo)體膜片壓力傳感器由直接與測量介質(zhì)接觸的高耐腐蝕金屬膜片（相當(dāng)于哈氏合金C-22、SUS316L等）和通過密封件檢測壓力的硅片（硅膜片）組成。硅油。）使用雙隔膜系統(tǒng)。
SUS316L隔膜（或哈氏合金C-22等效物等）通過壓力入口與測量介質(zhì)直接接觸，使得可以穩(wěn)定地測量不浸透它的介質(zhì)（空氣、水、油等）。[當(dāng)連接螺紋形狀為G3/8時，使用O型圈（氟橡膠）密封管道。]

特征

• 我們可以制造各種可以測量正壓、負(fù)壓、復(fù)合壓力和絕對壓力的傳感器元件。

• 與介質(zhì)直接接觸的受壓部件材質(zhì)相當(dāng)于哈氏合金C-22，可用SUS316L制造，因此具有優(yōu)異的耐腐蝕性。

• 檢測壓力的硅芯片的膜片較厚，因此具有優(yōu)異的耐壓性能。

目標(biāo)型號

半導(dǎo)體膜片壓力傳感器
VESW、VESX、VESY、VESZ、VHR3、VHG3、VAR3、VAG3、VPRNP、VPNPR、VPNPG、VNF、HS1、HV1、AS1、AV1、NS1、NV1、VESI、VESV、VSW2、VST等

應(yīng)變片式壓力傳感器的結(jié)構(gòu)及操作說明

將左圖所示的電阻橋粘貼在受壓部的金屬膜片的背面，將施加壓力時金屬膜片的變形量作為電壓變化進(jìn)行檢測。
由于金屬膜片表面存在應(yīng)變量較大的部分和應(yīng)變量較小的部分，因此在四個位置粘貼了電阻，其結(jié)構(gòu)使得即使應(yīng)變量不均勻也能正確檢測。

特征

• 沒有焊接或 O 形圈接頭，隔膜是一體式的，堅固耐用。

• 可高精度、耐高溫（150℃）生產(chǎn)

目標(biāo)型號

應(yīng)變式壓力傳感器
VSD4、NSMS-A6VB、HSSC、HSSC-A6V、VHS、VHST、HSMC2、HSMC、VPE、VPB、VPRT、VPRTF、VPRQ、VPRQF、VPVT、VPVTF、VPVQ、VPVQF、VPRF、VFM、VF、 VFS、VTRF、VPRF2、VPRH2 等

薄膜壓力傳感器的結(jié)構(gòu)及工作原理講解

我們的薄膜壓力傳感器是隔膜式的，使用金屬壓力表薄膜。當(dāng)從壓力入口施加壓力時，膜片變形，形成在膜片上的金屬儀表薄膜變形，導(dǎo)致檢測到的電阻變化。
它提供比應(yīng)變計壓力傳感器更靈敏的輸出，并且具有比半導(dǎo)體壓力傳感器更小的溫度系數(shù)。

特征

• 由于溫度系數(shù)恒定，因此溫度特性非常好。

• 提供長期穩(wěn)定的輸出，幾乎不會隨著時間的推移而惡化

• 可耐高溫（200℃）

目標(biāo)型號

電壓開關(guān)2

測量原理

當(dāng)有電流流向輸入端時，壓力會施加到金屬量規(guī)薄膜上，導(dǎo)致失真，表現(xiàn)為輸出側(cè)電信號的變化。