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硅單晶拉制設備的溫度控制技術分析
在坩堝中熔化多晶硅時的溫度控制以及晶種后旋轉和提拉時的溫度控制。
從提升裝置的視口進行溫度測量。
單晶硅提拉過程中的溫度控制。
如果多晶硅在坩堝中熔化或提拉的溫度不穩(wěn)定，則難以生產高純度的單晶，質量也不穩(wěn)定。
溫度是單晶化的重要因素，能夠非接觸式測量的輻射溫度計極其重要。
我們希望通過準確捕獲熔化溫度來捕獲結晶開始的點。
雖然測量距離往往比較長，但目標尺寸必須相對較小。換句話說，長距離需要小光斑類型。
由于環(huán)境溫度很高，因此耐熱溫度越高越好。
對于硅的溫度測量，最好在1.1μm或更小的波長下測量溫度，該波長因溫度而導致的發(fā)射率變化很小。
FTKX系列和FLHX系列適合長距離和小光斑類型（φ0.15~）。光纖頭結構緊湊，耐熱溫度為150℃，即使在環(huán)境溫度稍高的情況下也能安裝。
由于頭部是分離型，因此不需要輻射熱對策。
NEW! 1ms光纖型
半定制型，可在惡劣環(huán)境和狹窄空間使用。
光纖式輻射溫度計FTKX系列
測量溫度范圍：100℃～2000℃
纖維類型（耐熱/耐磁場）
高溫
對于石英以上
0.1ms/1ms快速響應
用于金屬
NEW! 1ms輻射溫度計，其規(guī)格可根據(jù)測量對象而改變
無纖維輻射溫度計FLHX系列
測量溫度范圍：90℃～2000℃
高溫
對于石英以上
0.1ms/1ms快速響應
用于金屬
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