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中級(jí)會(huì)員 | 第6年

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VACUUM DEVICE磁控濺射原理分析

時(shí)間:2022/11/30閱讀:1116
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VACUUM DEVICE磁控濺射原理分析

真空工業(yè)中的濺射是指用正離子轟擊目標(biāo)金屬,使目標(biāo)金屬的顆粒飛散并沉積在物體上。
本頁(yè)簡(jiǎn)要說(shuō)明了我們產(chǎn)品中主要使用的磁控濺射原理和其他具有代表性的濺射方法。

散射粒子的濺射技術(shù)有多種,但我們的濺射設(shè)備采用磁控濺射技術(shù),濺射效率高。

原理是先在真空中產(chǎn)生等離子體。
等離子體是一種不穩(wěn)定的狀態(tài),其中帶正電的氣體離子原子(正離子)和帶負(fù)電的自由電子自由循環(huán)。由于放置在目標(biāo)后面的磁鐵的作用力,它被密集地捕獲在磁場(chǎng)中。在此磁場(chǎng)中來(lái)回移動(dòng)的正離子一個(gè)接一個(gè)地與靶表面的負(fù)電勢(shì)發(fā)生碰撞。
由此彈開(kāi)(濺射)的目標(biāo)金屬粒子將飛向樣品。
即,通過(guò)借用磁鐵的力量,能夠以較少的電力高效地產(chǎn)生等離子體,正離子聚集在磁場(chǎng)強(qiáng)的地方反復(fù)碰撞,成為濺射效率高的成膜方法。

磁控濺射法的特點(diǎn)

  • 由于高密度等離子體區(qū)與樣品臺(tái)分離,對(duì)樣品的損傷小。

  • 沉積率高

  • 目標(biāo)利用率低。在高血漿密度下消耗更多

  • 目標(biāo)僅限于導(dǎo)電金屬和合金

磁控濺射設(shè)備配置圖

磁控濺射

磁控濺射

相關(guān)產(chǎn)品介紹

設(shè)備特征目標(biāo)金屬
MSP-mini
超小型濺射設(shè)備
對(duì)于光學(xué)顯微鏡,這是適合制作有光澤的 Ag 薄膜以及 SEM 和臺(tái)式 SEM 預(yù)處理的裝置。
MSP-1S
是一款帶有內(nèi)置泵的緊湊型濺射系統(tǒng)。
也可用于濺射鉑靶,可用于高達(dá)約50,000倍的高倍率觀察。


設(shè)備特征目標(biāo)金屬
MSP-20UM
針對(duì)各種應(yīng)用的可調(diào)功能。設(shè)置條件后,可以使用全自動(dòng)按鈕進(jìn)行自動(dòng)沉積。
可選傾斜旋轉(zhuǎn)樣品臺(tái)。提高轉(zhuǎn)彎性能。
配備氬氣導(dǎo)入,可鍍上更高純度的貴金屬薄膜。
聯(lián)鎖和安全機(jī)構(gòu)也是重要的濺射設(shè)備。

MSP-20MT

 配備φ100mm尺寸的靶電極的4英寸晶圓用濺射裝置。

該設(shè)備概念基于 MSP-20,可對(duì)更廣泛的樣品進(jìn)行涂層。

該設(shè)備專為MSP-20TK鎢濺射而開(kāi)發(fā)。它還可用于超高分辨率 SEM 觀察。大容量電源可以濺射貴金屬以外的多種金屬。
氬氣用作氣氛氣體。風(fēng)冷磁控管靶可減少樣品損壞并防止靶溫升。













































設(shè)備特征目標(biāo)金屬

采用磁控靶電極實(shí)現(xiàn)了直徑200mm的大面積樣品臺(tái),滿足更大尺寸MSP-8in硅基板的需求。更大的樣品臺(tái)可同時(shí)鍍膜8英寸晶圓和多個(gè)SEM樣品,提高檢測(cè)工作效率。

采用磁控靶電極實(shí)現(xiàn)了直徑300mm的大面積樣品臺(tái),滿足更大尺寸MSP-12in硅基板的需求。更大的樣品臺(tái)可同時(shí)鍍膜12英寸晶圓和多個(gè)SEM樣品,提高檢測(cè)工作效率。


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