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北京航天縱橫檢測儀器有限公司


介質(zhì)損耗試驗儀

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產(chǎn)品型號ZJD-B型

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地北京市

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更新時間:2019-08-13 12:44:30瀏覽次數(shù):356次

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產(chǎn)品簡介

介質(zhì)損耗試驗儀凡儀器在進(jìn)行測試線圈的分布電容量,電容器的電容量,高頻介質(zhì)損耗,高頻電阻和傳輸線特性阻抗等高頻電路和元件的電性能時,必須用電感組作輔助工具。

詳細(xì)介紹

一、 介電常數(shù)測試方法與步驟:

1. 把S916測試夾具裝置上的插頭插入到主機測試回路的“電容”兩個端子上。

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2. 在主機電感端子上插上和測試頻率相適應(yīng)的高Q值電感線圈(本公司 主機配套使用的LKI-1電感組能滿足要求),如:1MHz 時電感取100uH,15MHz時電感取1.5uH。

3. 被測樣品要求為圓形,直徑50.4--52mm/38.4--40mm,這是減小因樣品邊緣泄漏和邊緣電場引起的誤差的有效辦法。樣品厚度可在1--5mm之間,樣品太薄或太厚就會使測試精度下降,樣品要盡可能平整。

4. 調(diào)節(jié)S916測試夾具的測微桿,使S916測試夾具的平板電容極片相接為止,按ZERO 清零按鍵,初始值設(shè)置為0。

1. 再松開兩片極片,把被測樣品夾入平板電容上下極片之間,調(diào)節(jié)S916測試夾具的測微桿,直到平板電容極片夾住樣品止(注意調(diào)節(jié)時要用S916測試夾具的測微桿,以免夾得過緊或過松),這時能讀取的測試裝置液晶顯示屏上的數(shù)值,既是樣品的厚度D2。改變主機上的主調(diào)電容容量(旋轉(zhuǎn)主調(diào)電容旋鈕改變主調(diào)電容電容量),使主機處于諧振點(Q值大值)上。

2. 取出S916測試夾具中的樣品,這時主機又失去諧振(Q值變小),此時調(diào)節(jié)S916測試夾具的測微桿,使主機再回到諧振點(Q值大值)上,讀取測試裝置液晶顯示屏上的數(shù)值記為D4.

3. 計算被測樣品的介電常數(shù):

     Σ=D2 / D4

二、 介質(zhì)損耗測試方法與步驟:

1. 分布容量的測量

a) 選一個適當(dāng)?shù)闹C振電感接到“Lx”的兩端;

b) 將調(diào)諧電容器調(diào)到大值附近500P左右,令這個電容是C1,

c) 按下儀器面板的頻率搜索鍵,使測試回路諧振,諧振時Q的讀數(shù)為Q1;

d) 將測試夾具接在“Cx”兩端,放入材料,測出材料厚度后取出材料,調(diào)節(jié)主調(diào)電容,使測試電路重新諧振,此時可變電容器值為C2,Q值讀數(shù)為Q2。

機構(gòu)電容的有效電容為:Cz= C1-C2

分布電容為機構(gòu)電容CZ和電感分布電容C0(參考電感的技術(shù)說明)的和

電容器損耗角正切為

FU4AS`~$Z(1ID3EKXGSW4DB.png

公式里的C0只是電感的分布電容值,不是主機軟件顯示的C

2. 把S916測試夾具裝置上的插頭插入到主機測試回路的“電容”兩個端子上。

3. 在主機電感端子上插上和測試頻率相適應(yīng)的高Q值電感線圈(本公司 主機配套使用的LKI-1電感組能滿足要求),如:1MHz 時電感取100uH,15MHz時電感取1.5uH。

4. 被測樣品要求為圓形,直徑50.4--52mm/38.4--40mm,這是減小因樣品邊緣泄漏和邊緣電場引起的誤差的有效辦法。樣品厚度可在1--5mm之間,樣品太薄或太厚就會使測試精度下降,樣品要盡可能平直。

5. 調(diào)節(jié)S916測試夾具的測微桿,使S916測試夾具的平板電容極片相接為止,按ZERO 清零按鍵,初始值設(shè)置為0。再松開兩片極片,把被測樣品夾入兩片極片之間,調(diào)節(jié)S916測試夾具的測微桿,到的平板電容極片夾住樣品止(注意調(diào)節(jié)時要用S916測試夾具的,以免夾得過緊或過松),這時能讀取的測試裝置液晶顯示屏上的數(shù)值,既是樣品的厚度D2,改變主機上的主調(diào)電容容量,使主機處于諧振點(Q值大值)上,然后按一次 主機上的小數(shù)點(tgδ)鍵,在顯示屏上原電感顯示位置上將顯示C0= x x x,記住厚度D2的值。

6. 取出S916測試夾具中的樣品,(保持S916測試夾具的平板電容極片之間距不變)這時主機又失去諧振(Q值變?。?,再改變主機上的主調(diào)電容容量,使主機重新處于諧振點(Q值大值)上。

7. 第二次按下 主機上的小數(shù)點(tgδ)鍵,顯示屏上原C2和Q2顯示變化為C1和Q1,同時顯示介質(zhì)損耗系數(shù)tn =.x x x x x ,即完成測試。

8. 出錯提示,當(dāng)出現(xiàn)tn =  NO 顯示時,說明測試時出現(xiàn)了差錯,發(fā)生了Q1 ≤ Q2和C1 ≤ C2的錯誤情況。

附錄 一

LKI-1電感組

LKI-1型電感組共包括不同電感量的電感9個,凡儀器在進(jìn)行測試線圈的分布電容量,電容器的電容量,高頻介質(zhì)損耗,高頻電阻和傳輸線特性阻抗等高頻電路和元件的電性能時,必須用電感組作輔助工具。

本電感組有較高Q值,能使儀器測量時得到尖銳諧振點,因而增加其測量的準(zhǔn)確度,各電感的有關(guān)數(shù)據(jù)如下表:

電感No

電感量

準(zhǔn)確度%

Q值≥

分布電容約略值

諧振頻率范圍 MHz

適合介電常數(shù)測試頻率

1

0.1μH

±0.05μH

180

5pF

20~70

50MHz

2

0.5μH

±0.05μH

200

5pF

10~37

15MHz

3

2.5μH

±5%

200

5pF

4.6~17.4

10MHz

4

10μH

±5%

200

6pF

2.3~8.6

5MHz

5

50μH

±5%

180

6pF

1~3.75

1.5MHz

6

100μH

±5%

190

6pF

0.75~2.64

1MHz

7

1mH

±5%

150

8pF

0.23~0.84

0.5MHz

8

5mH

±5%

130

8pF

0.1~0.33

0.25MHz

9

10mH

±5%

80

8pF

0.072~0.26

0.1MH


附錄 二

一、如何測試帶粘性超薄絕緣材料的介電常數(shù)

1 用錫箔紙覆膠在材料的兩面,上下層錫箔紙不能接觸。錫箔紙厚度為DX;(材料大小要和測試電*小基本*)

2 超薄材料需要疊加:疊加方式如下

                                   250μ貼合6層后測試;

200μ貼合8層后測試;

175μ貼合9層后測試;

125μ貼合12層后測試;

100μ貼合15層后測試;

75μ貼合20層后測試;

50μ貼合30層后測試。

3 計算公式 

  Σ=(D2-2*DX)/D4

4 介質(zhì)損耗系數(shù)測試同理

介質(zhì)損耗試驗儀介質(zhì)損耗試驗儀

 

1、范圍 
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了在15Hz?300MHz的頻率范圍內(nèi)測量電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)的方法,并由此計算某些數(shù)值,如損耗指數(shù)。本標(biāo)準(zhǔn)中所敘述的某些方法,也能用于其他頻率下測量。 
本標(biāo)準(zhǔn)適用于測量液體、易熔材料以及固體材料。測試結(jié)果與某些物理條件有關(guān),例如頻率、溫度、濕度,在特殊情況下也與電場強度有關(guān)。 
有時在超過1000V的電壓下試驗,則會引起一些與電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)無關(guān)的效應(yīng),對此不予論述。 
 
2、規(guī)范性引用文件 
下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有的修gai單(不包括勘誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn),然而,鼓勵根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的版本。凡是不注日期的引用文件,其版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。 
IEC60247:1978 液體絕緣材料相對電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電阻率的測量 
 
3、術(shù)語和定義 
下列術(shù)語和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。 
3.1 
相對電容率relative permittivity 
ε r 
電容器的電極之間及電極周圍的空間全部充以絕緣材料時,其電容Cx與同樣電極構(gòu)形的真空電容Co之比; 
……………………………(1) 
式中; 
εr——相對電容率; 
Cx——充有絕緣材料時電容器的電極電容; 
Co——真空中電容器的電極電容。 
在標(biāo)準(zhǔn)大氣壓下,不含二氧化碳的干燥空氣的相對電容率ε r等于1.00053,因此,用這種電極構(gòu)形在空氣中的電容Cx來代替Co測量相對電容率εr時,也有足夠的精確度。 
在一個測量系統(tǒng)中,絕緣材料的電容率是在該系統(tǒng)中絕緣材料的相對電容率εr與真空電氣常數(shù)εr的乘積。 
在SI制中,電容率用法/米(F/m)表示。而且,在SI單位中,電氣常數(shù)εr,為: 
……………………………(2) 
在本標(biāo)準(zhǔn)中,用皮法和厘米來計算電容,真空電氣常數(shù)為:ε0=0.088 54 pF/cm 
3.2 
介質(zhì)損耗角dielectric loss angle 
δ 
由絕緣材料作為介質(zhì)的電容器上所施加的電壓與由此而產(chǎn)生的電流之間的相位差的余角。 
3.3 
介質(zhì)損耗因數(shù)1) dielectric dissipation factor 
tanδ 
損耗角δ的正切。 
3.4 
[介質(zhì)]損耗指數(shù) [dielectric] loss index 
εr 
該材料的損耗因數(shù)tanδ與相對電容率εr的乘積。 
3.5 
復(fù)相對電容率 complex relative permittivity 
εr 
由相對電容率和損耗指數(shù)結(jié)合而得到的: 

式中: 
εr——復(fù)相對電容率; 
εr——損耗指數(shù); 
εr、εr——相對電容率; 
tanδ——介質(zhì)損耗因數(shù)。 
注:有損耗的電容器在任何給定的頻率下能用電容Cs和電阻Rs的串聯(lián)電路表示,或用電容CP和電阻RP(或電導(dǎo)CP)并聯(lián)電路表示。 
         并聯(lián)等值電路                                 串聯(lián)等值電路 
 
式中: 
Cs——串聯(lián)電容; 
Rs——串聯(lián)電阻; 
 
1)有些用“損耗角正切”來表示“介質(zhì)損耗因數(shù)”,因為損耗的測量結(jié)果是用損耗角的正切來報告的。 

CP——并聯(lián)電容; 
RP——并聯(lián)電阻。 
雖然以并聯(lián)電路表示一個具有介質(zhì)損耗的絕緣材料通常是合適的,但在單一頻率下,有時也需要以電容Cs和電阻Rs的串聯(lián)電路來表示。 
串聯(lián)元件與并聯(lián)元件之間,成立下列關(guān)系: 

式(9)、(10)、(11)中:Cs、Rs、CP、RP、tanδ同式(7)、(8)。 
無論串聯(lián)表示法還是并聯(lián)表示法,其介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ是相等的。 
假如測量電路依據(jù)串聯(lián)元件來產(chǎn)生結(jié)果,且tanδ太大而在式(9)中不能被忽略,則在計算電容率前必須先計算并聯(lián)電容。 
本標(biāo)準(zhǔn)中的計算和測量是根據(jù)電流(ω=πf)正弦波形作出的。 
 
4、電氣絕緣材料的性能和用途 
4.1電介質(zhì)的用途 
電介質(zhì)一般被用在兩個不同的方面: 
用作電氣回路元件的支撐,并且使元件對地絕緣及元件之間相互絕緣; 
用作電容器介質(zhì)。 
4.2影響介電性能的因素 
下面分別討論頻率、溫度、濕度和電氣強度對介電性能的影響。 

關(guān)鍵詞:電容器 絕緣材料

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