施耐德XS630B1NAL2接近開(kāi)關(guān)

　接近開(kāi)關(guān)、光電開(kāi)關(guān)、拉繩開(kāi)關(guān)使用應(yīng)變片介紹

　　金屬薄膜式應(yīng)變片是厚度在0.1um以下的金屬箔，采用真空沉積或高頻濺射等方法，在絕緣基片上形成的厚度在0.1mm以下的金屬箔，采用真空沉積或高頻濺射等方法，在絕緣基片上形成厚度在0.1mm以下的金屬電阻材料費(fèi)薄膜的敏感柵-厚度大約為箔式應(yīng)變片厚度的十分之一以下。優(yōu)點(diǎn)：應(yīng)變靈敏系數(shù)大，可靠近性好，精度高，容易做成高阻搞的小型應(yīng)變片，無(wú)遲滯和蠕變現(xiàn)象，具有良好的耐熱性和沖擊性能等。用化學(xué)氣相淀積法制備薄膜，具有成膜溫度低、可靠性好、系統(tǒng)簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。薄膜應(yīng)變片是今后的發(fā)展趨勢(shì)。

　　半導(dǎo)體應(yīng)變片分為本底體型號(hào)和擴(kuò)散型兩種。本底體型是利用半導(dǎo)體材料的體電阻制成，擴(kuò)散型是在半導(dǎo)體材料費(fèi)的欺壓片上利用集成電路工藝制成擴(kuò)散型電阻。

　　由于半導(dǎo)體是各向異性材料，因此它的壓阻效應(yīng)不僅與摻雜濃度、溫度、材料類(lèi)型有關(guān)，還與晶向有關(guān)。半導(dǎo)體應(yīng)變片的特性?xún)?yōu)點(diǎn)是靈敏度高、機(jī)械滯后小、橫向效應(yīng)小、體積小、頻響高、易于集成化。缺點(diǎn)是溫度穩(wěn)定性能差、靈敏度分散度大，較大應(yīng)力作用下的非線性誤差大、機(jī)械的強(qiáng)度低。

施耐德XS630B1NAL2接近開(kāi)關(guān)