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行業(yè)產(chǎn)品

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深圳市邁瑞施電子技術(shù)有限公司


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BSM400GA120DLC

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產(chǎn)品型號(hào)BSM400GA120DLC

品       牌

廠商性質(zhì)代理商

所  在  地深圳市

聯(lián)系方式:曾先生查看聯(lián)系方式

更新時(shí)間:2016-07-12 15:06:17瀏覽次數(shù):383次

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經(jīng)營(yíng)模式:代理商

商鋪產(chǎn)品:987條

所在地區(qū):廣東深圳市

聯(lián)系人:曾先生 (銷(xiāo)售技術(shù)經(jīng)理)

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

BSM400GA120DLC品牌:英飛凌(Infineon)、優(yōu)派克(eupec);
產(chǎn)地:源產(chǎn)于*;
技術(shù)信息 / Technical Information
PrimePACK™2 模塊采用第三代溝槽柵/場(chǎng)終止IGBT3和增大的第三代發(fā)射極控制二極管

詳細(xì)介紹

BSM400GA120DLC品牌:英飛凌(Infineon)、優(yōu)派克(eupec)

BSM400GA120DLC產(chǎn)地:源產(chǎn)于*;

技術(shù)信息 / Technical Information

IGBT-模塊

IGBT-modules

PrimePACK™2 模塊采用第代溝槽柵/場(chǎng)終止IGBT3和增大的第代發(fā)射極控制二極管

PrimePACK™2 module with Trench/Fieldstop IGBT3, enlarged Emitter Controlled 4 diode

初步數(shù)據(jù) / Preliminary Data

深圳市邁瑞施電子技術(shù)有限公司:一家專業(yè)做進(jìn)口 * 現(xiàn)貨 批發(fā)零售的企業(yè),

更詳細(xì)的內(nèi)容 敬請(qǐng)登錄公司了解。www.mrs2003。。com

典型應(yīng)用 Typical Applications

• 斬波應(yīng)用 • Chopper Applications

電氣特性 Electrical Features

• VCEsat  with positive Temperature Coefficient

機(jī)械特性 Mechanical Features

• 封裝的 CTI > 400 • Package with CTI > 400

• 高功率循環(huán)和溫度循環(huán)能力 • High Power and Thermal Cycling Capability

 

 IGBT, 斬波器 / IGBT-Chopper

zui大額定值 / Maximum Rated Values

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Total power dissipation

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

特征值 / Characteristic Values

 

 

 

 

min.

typ.

max.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Reverse transfer capacitance

BSM400GA170DLC

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Turn-off delay time, inductive load

VGE = ±15 V

 

Tvj = 125°C

 

 

0,80

 

µs

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

下降時(shí)間(電感負(fù)載)

IC = 900 A, VCE = 600 V

 

Tvj = 25°C

tf

 

0,20

 

µs

Fall time, inductive load

VGE = ±15 V

 

Tvj = 125°C

 

0,40

 

µs

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

關(guān)斷損耗能量 (每脈沖)

IC = 900 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH

Tvj = 25°C

 

 

150

 

mJ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

在開(kāi)關(guān)狀態(tài)下溫度

 

 

 

Tvj op

-40

 

150

°C

Diode-斬波器 / Diode-Chopper

 zui大額定值 / Maximum Rated Values

 

正向重復(fù)峰值電流

tP = 1 ms

IFRM

 

1800

 

A

Repetitive peak forward current

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

特征值 / Characteristic Values

 

 

 

min.

typ.

max.

 

正向電壓

IF = 900 A, VGE = 0 V

Tvj = 25°C

 

 

1,65

2,15

V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

反向二極管 / Diode, Reverse

zui大額定值 / Maximum Rated Values 

 

反向重復(fù)峰值電壓

Tvj = 25°C

VRRM

 

1200

 

V

Repetitive peak reverse voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Repetitive peak forward current

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

BSM200GB120DLC FD1000R17IE4D_B2 FF150R12ME3G FF450R12ME4_B11

BSM200GD60DLC FD1200R17KE3-K FF150R17KE4 FF450R17ME4_B11

BSM300G120DN2 FD1400R12IP4D FF200R06YE3 FF600R12IE4

BSM300GA120DLC FD150R12RT4 FF200R12KE3 FF600R12IP4

BSM300GA120DN11S FD1600R17HP4_B2 FF200R12KE4 FF600R12IS4F

BSM300GA120DN2 FD1600R17KF6C_B2 FF200R12KS4 FF600R12KE3

BSM300GA120DN2S FD200R12KE3 FF200R12KT3 FF600R12KF4

BSM300GA160N11S FD200R12PT4_B6 FF200R12KT3_E FF600R12KL4C

BSM300GA170DLC FD200R65KF2-K FF200R12KT4 FF600R12ME4

BSM300GA170DN2 FD250R65KE3-K FF200R12MT4 FF600R12ME4_B11

BSM300GA170DN2S FD300R06KE3 FF200R17KE3 FF600R16KF4

BSM300GAL120DLC FD300R07PE4_B6 FF200R17KE4 FF600R17KE3

BSM300GAR120DLC FD300R12KE3 FF200R33KF2C FF600R17KE3_B2

BSM300GB120DLC FD300R12KS4 FF225R12ME3 FF600R17KF6C_B2

BSM300GB60DLC FD300R12KS4_B5 FF225R12ME4 FF600R17ME4

FD400R12KE3 FF225R12MS4 FF650R17IE4

BSM400GA120DN2 FD400R12KE3_B5 FF225R17ME3 FF650R17IE4D_B2

BSM400GA120DN2S FD400R33KF2C FF225R17ME4 FF800R12KE3

BSM400GA170DLC FD400R33KF2C-K FF225R17ME4_B11 FF800R12KF4

BSM50GAL120DN2 FF300R12KE3 FF300R06KE3 FF800R12KL4C

BSM600GA120DLC FF300R12KE4 FF300R06KE3_B2 FF800R17KE3

BSM75GB120DN11 FF800R17KP4_B2 FF300R07KE4 FF800R17KE3_B2

BYM300B170DN2 FF900R12IE4 FF300R07ME4_B11 FF800R17KF6C_B2

BYM600A170DN2

英飛凌(Infineon)晶閘管、可控硅、IGBT模塊,優(yōu)派克(eupec)可控硅、可控硅、IGBT模塊。

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