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北京維意真空技術(shù)應(yīng)用有限責任公司
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產(chǎn)品型號PE-CVD
品 牌其他品牌
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地北京市
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更新時間：2025-06-03 15:41:54瀏覽次數(shù)：679次
聯(lián)系我時，請告知來自 環(huán)保在線| 產(chǎn)地 | 國產(chǎn) | 射頻功率 | 300W |
|---|---|---|---|
| 加熱溫度 | 1100℃ | 前驅(qū)體源 | 3路 |
| 樣品臺 | 2英寸 |
PE-ALD等離子增強原子層沉積真空鍍膜設(shè)備是專門為特殊應(yīng)用領(lǐng)域的科學(xué)研究與工業(yè)開發(fā)用戶而設(shè)計的單片沉積系統(tǒng)，系統(tǒng)電氣*符合CE標準；該系統(tǒng)擴展了普通原子層沉積系統(tǒng)對前驅(qū)體源的選擇范圍、提高薄膜沉積速率和降低沉積溫度，廣泛應(yīng)用于對溫度敏感材料和柔性襯底上薄膜的沉積。
等離子增強原子層沉積真空鍍膜設(shè)備
一、設(shè)備概述：
PE-ALD等離子體增強原子層沉積系統(tǒng)是專門為特殊應(yīng)用領(lǐng)域的科學(xué)研究與工業(yè)開發(fā)用戶而設(shè)計的單片沉積系統(tǒng)，系統(tǒng)電氣*符合CE標準；該系統(tǒng)擴展了普通原子層沉積系統(tǒng)對前驅(qū)體源的選擇范圍、提高薄膜沉積速率和降低沉積溫度，廣泛應(yīng)用于對溫度敏感材料和柔性襯底上薄膜的沉積。
此系統(tǒng)包含用于原子層沉積的3路前驅(qū)體源、4通道質(zhì)量流量計控制系統(tǒng)、各部件加熱器系統(tǒng)、精密控溫樣品臺系統(tǒng)等。該管式爐系統(tǒng)為熱壁反應(yīng)室工藝，它的主要優(yōu)勢是在反應(yīng)室側(cè)壁上所淀積的也都是高品質(zhì)的ALD薄膜，熱壁反應(yīng)室設(shè)備往往能阻止薄膜的早期剝離，由于從加熱的側(cè)壁脫附的反應(yīng)源流量較高，從而加速了對反應(yīng)空間的清潔。
此套設(shè)備可作為單獨的CVD、PECVD、ALD、PEALD使用。搭建等離子增強原子層沉+化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（PE-ALD-CVD），用于生長各類材料。
二、技術(shù)指標：
1. 控制閥門動作等整套系統(tǒng)采用PLC觸摸屏控制；
2. 基片加熱溫度：室溫～1000℃，升溫速率10℃/min，控制精度±1℃，可自動左右移動實現(xiàn)快速升降溫，移動速度可調(diào)實現(xiàn)階梯鍍膜。
3. 前驅(qū)體輸運系統(tǒng)：標準3路前驅(qū)體管路，可選配；
4. 前驅(qū)體預(yù)熱溫度：室溫～1000℃，控制精度±1℃；
5. 源瓶/氣體管道加熱溫度：室溫～200℃，控制精度±1℃；
6. ALD閥Swagelok快速高溫ALD閥（小可在10ms完成閥門的開啟或關(guān)閉）；
7. 管內(nèi)真空＜10Pa，可自動平衡管內(nèi)真空度；
8. 載氣系統(tǒng)N2或者Ar；
9. 生長模式：高速沉積模式和停留生長模式；
10. 等離子體源：300W；
11. 可選購氣液混合裝置，用于CVD系統(tǒng)，可選購恒溫控制模塊；
12. 電源 50-60Hz, 220V/5Kw交流電源
等離子增強原子層沉積真空鍍膜設(shè)備
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