污水處理設(shè)備 污泥處理設(shè)備 水處理過(guò)濾器 軟化水設(shè)備/除鹽設(shè)備 純凈水設(shè)備 消毒設(shè)備|加藥設(shè)備 供水/儲(chǔ)水/集水/排水/輔助 水處理膜 過(guò)濾器濾芯 水處理濾料 水處理劑 水處理填料 其它水處理設(shè)備
常州市金艾聯(lián)電子科技有限公司
參 考 價(jià) | 面議 |
產(chǎn)品型號(hào)JK9610A
品 牌
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地常州市
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更新時(shí)間:2018-05-16 14:55:55瀏覽次數(shù):1003次
聯(lián)系我時(shí),請(qǐng)告知來(lái)自 環(huán)保在線可用于標(biāo)稱電流約在2-85A,功率在300W以內(nèi)的N溝導(dǎo)功率場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)的測(cè)試。
9610A可以測(cè)三個(gè)參數(shù):A:擊穿電壓VDSS 開(kāi)啟電壓VGS Gfs跨導(dǎo)B:三個(gè)參數(shù)只能一項(xiàng)一項(xiàng)測(cè)9612可以測(cè)三個(gè)參數(shù):A:開(kāi)啟電壓VGS Gfs跨導(dǎo) 通態(tài)電阻Ron 極間電容Cir 四個(gè)參數(shù)一起測(cè)B:效率高,C:帶分選報(bào)警 適合大批量來(lái)料檢驗(yàn)功率場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀/MOS管測(cè)試儀 /MOS管分選儀/MOS管配對(duì)儀 深圳JK9610A場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀 上海JK9610A場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀 常州 價(jià)格銷售 參數(shù) 報(bào)價(jià)一、概述 JK9610A型功率場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀,是一種新穎的全數(shù)字顯示式功率場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)測(cè)試裝置,可用于標(biāo)稱 電流約在2-85A,功率在300W以內(nèi)的N溝導(dǎo)功率場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)的測(cè)試。它可以準(zhǔn)確測(cè)量擊穿電壓 VDSS、柵極開(kāi)啟電壓VGS(th)和放大特性參數(shù)跨導(dǎo)Gfs,尤其是跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試電流可以達(dá)到50A,由于采 用脈沖電流測(cè)試法,即使在大電流測(cè)試時(shí)也不會(huì)對(duì)被測(cè)器件造成任何損壞,更可以在大電流狀態(tài)下對(duì)場(chǎng)效 應(yīng)管進(jìn)行參數(shù)*性的測(cè)試(配對(duì));儀器*可用于同等電流等級(jí)的IGBT參數(shù)的測(cè)量;儀器還是一臺(tái)性 能十分*的電子元器件耐壓測(cè)試裝置,其測(cè)試耐壓時(shí)的漏電流有1mA、250uA、25uA 三擋可以選擇。儀器 主要用于功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT的質(zhì)量檢驗(yàn)、參數(shù)的配對(duì)及其它電子元器件的耐壓測(cè)試之用。儀器分N溝導(dǎo)型 測(cè)試儀和P溝導(dǎo)型測(cè)試儀兩種。儀器外型美觀、性能穩(wěn)定、測(cè)量準(zhǔn)確、操作簡(jiǎn)單、使用安全方便。二、主要技術(shù)性能 1、擊穿電壓VDSS測(cè)量范圍: 0—1999V, 精度:≤2.5% 。 2、IDSS可分三擋選擇: 1mA、250uA、25uA 。 3、柵極開(kāi)啟電壓VGS(th) 測(cè)量范圍: 0—10V。 精度:≤5% 。 4、Gfs跨導(dǎo)測(cè)試電流Idm:不小于1—50 A連續(xù)可調(diào), 精度:≤10 % 。 5、Gfs跨導(dǎo)測(cè)試范圍:1—100 。三、主要測(cè)試功能 1、功率場(chǎng)效應(yīng)管的擊穿電壓VDSS、柵極開(kāi)啟電壓VGS(th)、跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試。 2、IGBT的擊穿電壓V(BR)ces、柵極開(kāi)啟電壓VGE(th)、跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試?! ?3、功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT在50A以下的任意電流狀態(tài)下*性的測(cè)試,可用于配對(duì)?! ?4、對(duì)其它更大電流和功率的場(chǎng)效應(yīng)管及IGBT的測(cè)試:(見(jiàn)下面介紹)?! ? 5、各類晶體三極管、二極管、穩(wěn)壓管擊穿電壓的測(cè)試?! ?6、壓敏電阻電壓的測(cè)試等。四、測(cè)試盒與測(cè)試線 1、利用測(cè)試盒可以方便的測(cè)試TO-126、TO-220、TOP-3等類似封裝的功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT。 2、利用測(cè)試線可以測(cè)量其它金屬類、模塊類等封裝形式的功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT。 測(cè)試實(shí)例型號(hào) 擊穿電壓Vdss開(kāi)啟電壓Vgs(th)跨導(dǎo)SGfsGfs測(cè)試電流標(biāo)稱電流ID標(biāo)稱功率PD封裝IRF640基本參數(shù)200V2-4V≥6.811A18A150WTO-220 實(shí)測(cè)參數(shù)225V3.0V1211A IRF1010基本參數(shù)60V2-4V≥6950A84A200WTO-220 實(shí)測(cè)參數(shù)66V3.2V6750A IRF3205基本參數(shù)55V2-4V≥4462A110A200WTO-220 實(shí)測(cè)參數(shù)60V2.9V6860A FQP70N08基本參數(shù)80V2-4V4135A70A155WTO-220 實(shí)測(cè)參數(shù)86V3.2V4635A 75NF75基本參數(shù)75V2-4V2040A80A300WTO-220 實(shí)測(cè)參數(shù)81V3.6V5240A IRFP064基本參數(shù)55V2-4V≥4259A110A200WTO-3P 實(shí)測(cè)參數(shù)67V2.5V5760A 2SK1120基本參數(shù)1000V2.5-5V44A8A150WTO-3P 實(shí)測(cè)參數(shù)1086V2.3V54A G160N60基本參數(shù)600V3.5-6.5V*80A160A250WTO-247 實(shí)測(cè)參數(shù)626V3.9V3560A H40T120基本參數(shù)1200V5-6.5V2140A75A270WTO-247 實(shí)測(cè)參數(shù)1390V5.7V2040A 60N170D基本參數(shù)1700V3.5-7.5V 60A200WTO-247 實(shí)測(cè)參數(shù)1798V4.8V3060A 提交
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