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樂(lè)清市輝利電氣有限公司
主營(yíng)產(chǎn)品： 斷路器，接觸器，繼電器，接近開(kāi)關(guān)，光電開(kāi)關(guān)，變頻器，變壓器，低壓電器 |
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主營(yíng)產(chǎn)品： 斷路器，接觸器，繼電器，接近開(kāi)關(guān)，光電開(kāi)關(guān)，變頻器，變壓器，低壓電器 |
| 產(chǎn)品圖片 | 產(chǎn)品名稱 | |||
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歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E2E-X1R5Y1 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E2E-X1R5Y1高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開(kāi)關(guān)，使接近開(kāi)關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近，進(jìn)而控制開(kāi)關(guān)的通或斷。這種接近開(kāi)關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2015-04-29 |
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歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E2E-X20MD1 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E2E-X20MD1高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開(kāi)關(guān)，使接近開(kāi)關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近，進(jìn)而控制開(kāi)關(guān)的通或斷。這種接近開(kāi)關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2015-04-29 |
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歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E2E-X14MD2 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E2E-X14MD2高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開(kāi)關(guān)，使接近開(kāi)關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近，進(jìn)而控制開(kāi)關(guān)的通或斷。這種接近開(kāi)關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2015-04-29 |
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歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E2E-X4MD1 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E2E-X4MD1高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開(kāi)關(guān)，使接近開(kāi)關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近，進(jìn)而控制開(kāi)關(guān)的通或斷。這種接近開(kāi)關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2015-04-29 |
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歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E2E-X10D1-N 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E2E-X10D1-N高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開(kāi)關(guān)，使接近開(kāi)關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近，進(jìn)而控制開(kāi)關(guān)的通或斷。這種接近開(kāi)關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2015-04-29 |
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歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E2E-X2D1-N 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E2E-X2D1-N高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開(kāi)關(guān)，使接近開(kāi)關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近，進(jìn)而控制開(kāi)關(guān)的通或斷。這種接近開(kāi)關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2015-04-29 |
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歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E2E-X2MF1 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E2E-X2MF1高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開(kāi)關(guān)，使接近開(kāi)關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近，進(jìn)而控制開(kāi)關(guān)的通或斷。這種接近開(kāi)關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2015-04-29 |
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歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E2E-X1R5F1 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E2E-X1R5F1高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開(kāi)關(guān)，使接近開(kāi)關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近，進(jìn)而控制開(kāi)關(guān)的通或斷。這種接近開(kāi)關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2015-04-29 |
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歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E2E-CR881 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E2E-CR881高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開(kāi)關(guān)，使接近開(kāi)關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近，進(jìn)而控制開(kāi)關(guān)的通或斷。這種接近開(kāi)關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2015-04-29 |
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歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E2E-CR8C1 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E2E-CR8C1高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開(kāi)關(guān)，使接近開(kāi)關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近，進(jìn)而控制開(kāi)關(guān)的通或斷。這種接近開(kāi)關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2015-04-29 |
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歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E2E-X181 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E2E-X181高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開(kāi)關(guān)，使接近開(kāi)關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近，進(jìn)而控制開(kāi)關(guān)的通或斷。這種接近開(kāi)關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2015-04-29 |
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歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E2E-X1C2 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E2E-X1C2高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開(kāi)關(guān)，使接近開(kāi)關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近，進(jìn)而控制開(kāi)關(guān)的通或斷。這種接近開(kāi)關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2015-04-29 |
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歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E2E-X1C1 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E2E-X1C1高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開(kāi)關(guān)，使接近開(kāi)關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近，進(jìn)而控制開(kāi)關(guān)的通或斷。這種接近開(kāi)關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2015-04-29 |
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歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E2E-X10ME1-Z 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E2E-X10ME1-Z 高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開(kāi)關(guān)，使接近開(kāi)關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近，進(jìn)而控制開(kāi)關(guān)的通或斷。這種接近開(kāi)關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2015-04-29 |
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歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E2E-X5ME1-Z 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E2E-X5ME1-Z高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開(kāi)關(guān)，使接近開(kāi)關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近，進(jìn)而控制開(kāi)關(guān)的通或斷。這種接近開(kāi)關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2015-04-29 |
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歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E2E-X2ME1-Z 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E2E-X2ME1-Z 高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開(kāi)關(guān)，使接近開(kāi)關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近，進(jìn)而控制開(kāi)關(guān)的通或斷。這種接近開(kāi)關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2015-04-29 |
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歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E2E-X2E-Z 簡(jiǎn)單介紹：歐姆龍接近開(kāi)關(guān)E2E-X2E-Z 高頻振蕩器和放大處理電路組成，利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開(kāi)關(guān)，使接近開(kāi)關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近，進(jìn)而控制開(kāi)關(guān)的通或斷。這種接近開(kāi)關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：溫州市 更新時(shí)間：2015-04-29 |
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