半導(dǎo)體所研制成功氮化鎵基激光器

 中科院知識(shí)創(chuàng)新工程重要方向項(xiàng)目“氮化鎵基激光器（KGCX2-SW-115）”于11月26日通過(guò)專(zhuān)家驗(yàn)收。
   
    氮化鎵基半導(dǎo)體材料是繼硅和砷化鎵基材料后的新一代半導(dǎo)體材料，被稱(chēng)為第三代半導(dǎo)體材料，它具有寬的帶隙，優(yōu)異的物理性能和化學(xué)性能，在光電子領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景和研究?jī)r(jià)值。用氮化鎵基半導(dǎo)體材料研制成的氮化鎵基激光器在國(guó)防安全領(lǐng)域和光信息存儲(chǔ)、激光全色顯示、激光打印、大氣環(huán)境檢測(cè)、水下通信、雙色激光探測(cè)等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價(jià)值。

    2005年4月，半導(dǎo)體所承擔(dān)了“氮化鎵基激光器 （KGCX2-SW-115）”研究項(xiàng)目，經(jīng)過(guò)兩年多創(chuàng)新性的研究，實(shí)現(xiàn)了氮化鎵基激光器核心技術(shù)的突破，專(zhuān)家組認(rèn)為，該項(xiàng)目在氮化鎵基激光器的材料生長(zhǎng)、器件工藝和測(cè)試技術(shù)等方面攻克了一系列技術(shù)難關(guān)，按時(shí)全面完成了任務(wù)書(shū)規(guī)定的研究目標(biāo)。GaN材料的背景電子濃度小于5×1016/立方厘米，室溫電子遷移率穩(wěn)定在900平方厘米/伏秒以上、達(dá)到*水平，P型GaN空穴濃度達(dá)到5×1017/立方厘米,電阻率小于1歐姆厘米。在國(guó)內(nèi)研制成功了室溫連續(xù)工作的氮化鎵基激光器，條寬和條長(zhǎng)分別為2.5微米和800微米，激光波長(zhǎng)410納米，閾值電流110毫安，閾值電流密度5.5kA/平方厘米，在150毫安，工作電流時(shí)，激光器的輸出功率9.6毫瓦，為研制實(shí)用化的激光器打下了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

    該項(xiàng)目在研期間，在激光器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、材料生長(zhǎng)和器件工藝制作方面形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的國(guó)家發(fā)明5項(xiàng)，在國(guó)內(nèi)外重要刊物發(fā)表相關(guān)文章11篇。通過(guò)該項(xiàng)目的研究培養(yǎng)了一批高水平的光電子材料與器件的研究人才，形成了一支高素質(zhì)的研究隊(duì)伍?？蒲腥藛T將力爭(zhēng)通過(guò)3年左右的研究，研究成功實(shí)用化的405納米激光器及450納米藍(lán)綠色激光器,使其在國(guó)民經(jīng)濟(jì)和國(guó)家重大需求中發(fā)揮作用。