半導(dǎo)體分立測(cè)試儀價(jià)格半導(dǎo)體分立測(cè)試儀價(jià)格
庫(kù)號(hào)：M380093 查看hh
適用標(biāo)準(zhǔn):
《GJB 128 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法》
《GJB 33A-97 半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》
《SJ/Z 9014 半導(dǎo)體器件 分立器件》
《SJ 2215.1-82 半導(dǎo)體光耦器測(cè)試方法》
判斷標(biāo)準(zhǔn)依據(jù)：JJF 1094-2002《測(cè)量?jī)x器特性判定》
主要組成
半導(dǎo)體分立測(cè)試儀
主控計(jì)算機(jī)一臺(tái)
校準(zhǔn)工裝
測(cè)試工裝:4款(SOD-123、SOD-323、SOT-23、SMA)
技術(shù)參數(shù)
半導(dǎo)體分立測(cè)試儀
二極管：BVR、IR、VF、VZ、RZ
三極管：BVCBO、BVCEO、BVCES、BVCER、BVEBO、HFE、ICBO、 ICBS、ICEO、 ICES、ICER、IEBO、VBEF、VBCF、VBESAT、 VCESAT
可控硅：BVGKO、IAKF、IAKR、IGKO、IGT、IH、IL、VGT、VON
場(chǎng)效應(yīng)管：BVDSO、BVDSS、BVDSR、BVDGO、BVGDS、BVGSO、BVGSS、 GFS、IDSO、IDSS、IDSR、IG、IGDO、IGSO、IGSS、RDS(on)、 VDS(on)、VGS、VGS(th)、VP
IGBT：BVCES、BVCGR、BVGES、ICES、IGES、VCESAT、VGETH、VGS(off)
達(dá)林頓矩陣：CEX、 IIN(ON)、 IIN(Off)、 VIN(on)、 IR、VCESAT、BVR、HFE、ICEO
光敏二、三極管：ID、IL、VOC、 ISC、BV、BVCE
單結(jié)晶體管：Iv、Vv、IP、VP、VEB1、ETA、RBB、IEB1O、IB2
隨機(jī)資料
1、中文版的說(shuō)明書(shū)一份
2、出廠
3、提供實(shí)驗(yàn)配件及清單
一、產(chǎn)品特點(diǎn):
測(cè)試晶種覆蓋面廣、測(cè)試精度高、電參數(shù)測(cè)試全、速度快、有良好的重復(fù)性和-一致性、工作穩(wěn)定，具有保護(hù)系統(tǒng)和被測(cè)器件的能力，且具有圖示功能。測(cè)試儀由計(jì)算機(jī)操控，測(cè)試數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)打印。除具有點(diǎn)測(cè)試功能外，還具有曲線掃描功能( 圖示儀功能)。系統(tǒng)軟件功能全、使用靈活方便、操作簡(jiǎn)單。系統(tǒng)軟件穩(wěn)定、硬件故障率低，在實(shí)際測(cè)試應(yīng)用中各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)均可達(dá)到器件手冊(cè)技術(shù)指標(biāo)二、測(cè)試參數(shù):
1:二極管
VF、IR. BVR 隨機(jī)附件
2.穩(wěn)壓 (齊納)二極管
VF、IR、BVZ
3.晶體管
Transistor (NPN型/PNP型)
VBE、ICB0、LCE0、 IEB0、 BVCE0、 BWCBO、 BVEBO、 hFE. VCESAT.
VBESAT、VBEON
4.可控硅整流器 (晶閘管)
IGT、VGT、IH、 IL。VTM
5. 場(chǎng)效應(yīng)管
IGSSF、IGSSR、 IGSSR、 IGSS. VDSON、 RDSON、 VGSTH、IDSS、IDON、 gFS. BVGSS .
6。光電耦合器
VF。IR、CTR、ICE0、 BVCE0、 VCESAT
7.三端穩(wěn)壓器
Vo、Sv. ID、IDV .及國(guó)標(biāo)要求。
《GJB 128 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法》
《GJB 33A-97 半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》
《SJ/Z 9014 半導(dǎo)體器件 分立器件》
《SJ 2215.1-82 半導(dǎo)體光耦器測(cè)試方法》
判斷標(biāo)準(zhǔn)依據(jù)：JJF 1094-2002《測(cè)量?jī)x器特性判定》
主要組成
半導(dǎo)體分立測(cè)試儀
主控計(jì)算機(jī)一臺(tái)
校準(zhǔn)工裝
測(cè)試工裝:4款(SOD-123、SOD-323、SOT-23、SMA)
技術(shù)參數(shù)
半導(dǎo)體分立測(cè)試儀
二極管：BVR、IR、VF、VZ、RZ
三極管：BVCBO、BVCEO、BVCES、BVCER、BVEBO、HFE、ICBO、 ICBS、ICEO、 ICES、ICER、IEBO、VBEF、VBCF、VBESAT、 VCESAT
可控硅：BVGKO、IAKF、IAKR、IGKO、IGT、IH、IL、VGT、VON
場(chǎng)效應(yīng)管：BVDSO、BVDSS、BVDSR、BVDGO、BVGDS、BVGSO、BVGSS、 GFS、IDSO、IDSS、IDSR、IG、IGDO、IGSO、IGSS、RDS(on)、 VDS(on)、VGS、VGS(th)、VP
IGBT：BVCES、BVCGR、BVGES、ICES、IGES、VCESAT、VGETH、VGS(off)
達(dá)林頓矩陣：CEX、 IIN(ON)、 IIN(Off)、 VIN(on)、 IR、VCESAT、BVR、HFE、ICEO
光敏二、三極管：ID、IL、VOC、 ISC、BV、BVCE
單結(jié)晶體管：Iv、Vv、IP、VP、VEB1、ETA、RBB、IEB1O、IB2
隨機(jī)資料
1、中文版的說(shuō)明書(shū)一份
2、出廠
3、提供實(shí)驗(yàn)配件及清單
一、產(chǎn)品特點(diǎn):
測(cè)試晶種覆蓋面廣、測(cè)試精度高、電參數(shù)測(cè)試全、速度快、有良好的重復(fù)性和-一致性、工作穩(wěn)定，具有保護(hù)系統(tǒng)和被測(cè)器件的能力，且具有圖示功能。測(cè)試儀由計(jì)算機(jī)操控，測(cè)試數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)打印。除具有點(diǎn)測(cè)試功能外，還具有曲線掃描功能( 圖示儀功能)。系統(tǒng)軟件功能全、使用靈活方便、操作簡(jiǎn)單。系統(tǒng)軟件穩(wěn)定、硬件故障率低，在實(shí)際測(cè)試應(yīng)用中各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)均可達(dá)到器件手冊(cè)技術(shù)指標(biāo)二、測(cè)試參數(shù):
1:二極管
VF、IR. BVR 隨機(jī)附件
2.穩(wěn)壓 (齊納)二極管
VF、IR、BVZ
3.晶體管
Transistor (NPN型/PNP型)
VBE、ICB0、LCE0、 IEB0、 BVCE0、 BWCBO、 BVEBO、 hFE. VCESAT.
VBESAT、VBEON
4.可控硅整流器 (晶閘管)
IGT、VGT、IH、 IL。VTM
5. 場(chǎng)效應(yīng)管
IGSSF、IGSSR、 IGSSR、 IGSS. VDSON、 RDSON、 VGSTH、IDSS、IDON、 gFS. BVGSS .
6。光電耦合器
VF。IR、CTR、ICE0、 BVCE0、 VCESAT
7.三端穩(wěn)壓器
Vo、Sv. ID、IDV .及國(guó)標(biāo)要求。
