GHCDY沖擊電壓發(fā)生器成套裝置本發(fā)生器用于35kV以下電壓等級(jí)的電力變壓器、戶(hù)外斷路器、互感器、電抗器、避雷針、開(kāi)關(guān)、套管、絕緣子及其它試品進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)雷電沖擊電壓全波和截波試驗(yàn)。
GHCDY沖擊電壓發(fā)生器成套裝置適用范圍
本發(fā)生器用于35kV以下電壓等級(jí)的電力變壓器、戶(hù)外斷路器、互感器、電抗器、避雷針、開(kāi)關(guān)、套管、絕緣子及其它試品進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)雷電沖擊電壓全波和截波試驗(yàn)。
使用條件
海拔高度：≤1000m
環(huán)境溫度：-25℃～+45℃
相對(duì)濕度：≤90%（20℃時(shí)）
zui大日溫差：≤25℃
抗地震能力：≤8級(jí)烈度
安裝地點(diǎn)：戶(hù)內(nèi)
電源電壓的波形為實(shí)際正弦波
波形畸變率<3%
設(shè)有一可靠接地點(diǎn)，接地電阻＜0.5Ω
- 遵循標(biāo)準(zhǔn)
GB7449 電力變壓器和電抗器的雷電沖擊和操作沖擊的試驗(yàn)導(dǎo)則
GB1094.3-03 電力變壓器第三部分 絕緣水平和絕緣試驗(yàn)
GB/T.311.1-1997 高壓輸變電設(shè)備的絕緣與配合
GB/T 16927.1-1997 高電壓試驗(yàn)技術(shù) *部分 一般試驗(yàn)要求
GB/T 16927.2-1997 高電壓試驗(yàn)技術(shù) 第二部分 測(cè)量系統(tǒng)
GB/T 16896.1 高電壓沖擊試驗(yàn)用數(shù)字記錄儀
DL/T 848.5 高壓試驗(yàn)裝置通用技術(shù)條件 第5部分 沖擊電壓發(fā)生器
額定參數(shù)值
- 額定標(biāo)稱(chēng)電壓：±300kV
- 額定級(jí)電壓：±100kV
- 額定能量：7.5kJ
- 沖擊總電容：0.167μF
- 總級(jí)數(shù)：3級(jí)
- 額定級(jí)電容量：0.5μF
負(fù)荷電容為300~2000PF時(shí)能產(chǎn)生下列波形：
1、1.2±30%/50±20%μs雷電沖擊電壓全波，電壓效率≥92%(空載)
2、2～6μs的標(biāo)準(zhǔn)沖擊電壓截波，電壓效率≥92%(空載)
3、沖擊電壓波形參數(shù)均符合IEC和GB311－97國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的要求
4、同步范圍：級(jí)電壓在10%～100%額定電壓范圍內(nèi)，正負(fù)極性同步范圍不小于20%；
5、點(diǎn)火范圍10%～100%
6、同步放電失控率：＜ 2%
7、zui低輸出電壓：≤10un
8、充電電壓不穩(wěn)定度：≤±1.0%
9、使用持續(xù)時(shí)間：＞70%un額定電壓以上，每90秒充放電一次可連續(xù)運(yùn)行；在＜70%un額定電壓下，每45秒充放電一次可連續(xù)運(yùn)行。
- 主要部件
- 直流充電部分
- 采用雙邊不對(duì)稱(chēng)式可控硅恒流充電方式，額定輸出電壓±100kV；
- 采用雙邊不對(duì)稱(chēng)式可控硅恒流充電方式，額定輸出電流30mA；
- 采用絕緣筒油浸式充電變壓器，變壓器密封良好，無(wú)滲漏油；
- 采用2DL－200kV/200mA的高壓整流硅堆；
- 高壓整流硅堆保護(hù)電阻采用漆包電阻絲有感密繞在絕緣管上；
- 恒流充電裝置在10%～100%額定充電電壓范圍內(nèi)，實(shí)際充電電壓與整定電壓偏差不大于±1%，充電電壓的不穩(wěn)定性不大于±1%，充電電壓的可調(diào)精度為1%；
- 直流電阻分壓器采用100kV，200MΩ油浸式金屬膜電阻，低壓臂電阻裝在分壓器底法蘭內(nèi)；
- 自動(dòng)接地開(kāi)關(guān)采用鋼帶接地機(jī)構(gòu)，試驗(yàn)停止時(shí)可自動(dòng)將主電容器經(jīng)保護(hù)電阻短路接地。
- 直流充電裝置的正負(fù)極性為自動(dòng)倒換；
- 恒流充電的裝置、充電變壓器、高壓整流硅堆、倍壓電容、電阻分壓器、限流電阻和下位機(jī)及本體部分等安裝在同一移動(dòng)式底盤(pán)上。
